
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:18-DIP(0.300,7.62mm)
- 技术参数:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 18DIP
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LTC1177CN-5是一款由亚德诺半导体(Analog Devices)设计生产的高端栅极驱动器集成电路,采用经典的18引脚DIP通孔封装。其核心架构围绕一个独立的高压侧驱动通道构建,专为高效、可靠地驱动N沟道功率MOSFET或IGBT而优化。该器件内部集成了自举电路所需的关键元件,简化了外部电路设计,使得在开关电源、电机控制等需要高端开关的应用中,能够以简洁的拓扑实现稳定的栅极驱动电压。
该芯片的功能特点突出体现在其单通道、非反相的高端驱动配置上。其输入逻辑与输出驱动同相,简化了系统控制逻辑。供电电压范围严格限定在4.75V至5.25V之间,确保了在标准的5V逻辑电平环境下工作的稳定性和兼容性。尽管部分动态参数如峰值输出电流、上升下降时间在标准参数表中未明确标注,但其设计旨在满足中等功率应用场景下对开关速度与驱动能力的基本需求。对于需要采购此类经典或停产器件的用户,联系专业的ADI代理商是获取可靠货源和技术支持的重要途径。
在接口与参数方面,LTC1177CN-5采用非反相输入接口,可直接与微控制器或PWM发生器的输出引脚连接。其18-DIP封装形式提供了良好的机械强度和通孔焊接可靠性,适合在工业环境或原型开发板上使用。虽然该器件目前已处于停产状态,但其设计成熟、应用广泛,在诸多现有设备和系统维护中仍具有重要价值。其核心参数,如单一的驱动配置和明确的5V供电电压,定义了其在电路中的明确角色。
典型的应用场景包括DC-DC转换器中的高端开关驱动、无刷直流电机(BLDC)的驱动电路,以及其他需要将功率器件置于电源轨与负载之间的拓扑结构。在这些应用中,LTC1177CN-5能够有效解决高端N沟道MOSFET的栅极电压自举问题,确保功率管在导通时栅源电压足够,从而实现高效的电能转换与功率控制。尽管面临停产,其在历史设计方案和持续运行的系统中仍是关键组件之一。
- 制造商产品型号:LTC1177CN-5
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 18DIP
- 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装:散装
- 系列:-
- 零件状态:停产
- 驱动配置:高端
- 通道类型:-
- 驱动器数:1
- 栅极类型:-
- 电压-供电:4.75V ~ 5.25V
- 逻辑电压-VIL,VIH:-
- 电流-峰值输出(灌入,拉出):-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压-最大值(自举):-
- 上升/下降时间(典型值):-
- 工作温度:-
- 安装类型:通孔
- 产品封装:18-DIP(0.300,7.62mm)
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LTC1177CN-5是亚德诺半导体(ADI)推出的一款电源管理IC,属于栅极驱动器产品系列。该器件采用18引脚DIP通孔封装,是一款专用于高端驱动配置的单通道栅极驱动器,其非反相输入逻辑便于与标准控制信号直接对接。
其核心工作电压范围为4.75V至5.25V,完美适配5V逻辑系统,为驱动N沟道MOSFET提供了稳定的基础。该芯片集成了自举功能所需的关键电路,显著简化了高压侧开关驱动的外部设计复杂度,适用于需要高效高端开关的各种电源转换与电机控制应用。



















