您正在寻找一颗能同时、独立驱动高压侧和低压侧N沟道MOSFET的可靠“指挥官”吗？LTC1157CN8#PBF正是为此而生。这颗来自ADI的双通道栅极驱动器，让您能轻松构建高效的半桥或全桥功率级，显著优化开关电源和电机驱动等应用的性能。

它工作在3.3V至5V的宽逻辑电压下，与现代控制器无缝对接。其非反相的独立输入，为您提供清晰直接的控制逻辑，而通孔封装则确保了在原型开发和工业生产中的高可靠性。简而言之，LTC1157CN8#PBF的核心使命，就是让您的功率开关动作更迅速、更精准、更高效，从而释放系统潜能。

• 制造商产品型号：LTC1157CN8#PBF
• 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
• 描述：IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP
• 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
• 包装：管件
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 驱动配置：高压侧或低压侧
• 通道类型：独立式
• 驱动器数：2
• 栅极类型：N 沟道 MOSFET
• 电压-供电：3.3V ~ 5V
• 逻辑电压-VIL，VIH：-
• 电流-峰值输出（灌入，拉出）：-
• 输入类型：非反相
• 高压侧电压-最大值（自举）：-
• 上升/下降时间（典型值）：-
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：通孔
• 产品封装：8-DIP（0.300，7.62mm）
• LTC1157CN8#PBF优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。