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- 制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器，封装:8-SO
- 技术参数：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
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LTC1155IS8 技术参数详情：
- 型号:LTC1155IS8
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-SO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:高端
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:4.5V ~ 18V
- 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
- 上升/下降时间（典型值）:-
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SO
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