
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:8-SO
- 技术参数:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
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LTC1154CS8#TRPBF是一款由亚德诺半导体(ADI)设计生产的高性能高端栅极驱动器集成电路。该器件采用单路、非反相输入的设计架构,专门用于驱动单个N沟道功率MOSFET的栅极。其内部集成了精密电荷泵电路,这是其核心所在,能够在无需外部自举二极管或电容的情况下,持续为高端MOSFET的栅极提供高于其源极电压的驱动电压,从而确保MOSFET在开关过程中能够被充分且可靠地导通与关断。
该驱动器具备出色的电气特性,其工作电源电压范围宽达4.5V至18V,为系统设计提供了高度的灵活性,能够适配多种逻辑电平与功率总线电压。其逻辑输入阈值经过优化,VIL为0.8V,VIH为2V,提供了良好的噪声容限,使其能够与多种微控制器、DSP或逻辑电路直接接口,无需额外的电平转换电路,简化了系统设计并提高了可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过授权的ADI代理商获取此型号及相关设计资源。
在接口与关键参数方面,LTC1154CS8#TRPBF采用标准的表面贴装8引脚SOIC封装,便于自动化生产并节省电路板空间。其工作温度范围为0°C至70°C,适用于广泛的商业级应用环境。作为一款高端驱动器,它解决了在桥式拓扑或高边开关应用中,驱动悬浮在变化电位上的MOSFET栅极的技术挑战,其内部集成的电荷泵电路性能稳定,有效简化了外围电路。
这款栅极驱动器主要面向需要高效、可靠功率开关控制的领域。其典型应用场景包括直流电机驱动、步进电机控制、开关电源(SMPS)中的同步整流或高边开关、以及各类半桥或H桥功率转换电路。在这些应用中,它能够显著提升系统的开关效率、响应速度和整体稳定性,是构建紧凑型、高性能功率管理模块的关键组件之一。
- 型号:LTC1154CS8#TRPBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-SO
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:高端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
- 电压 - 供电:4.5V ~ 18V
- 逻辑电压- VIL,VIH:0.8V,2V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值(自举):-
- 上升/下降时间(典型值):-
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO
- LTC1154CS8#TRPBF优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
LTC1154CS8#TRPBF是ADI公司推出的一款单通道高端N沟道MOSFET栅极驱动器IC。该器件集成了内部电荷泵,可在4.5V至18V的宽电源电压范围内工作,无需外部自举元件即可为高端MOSFET提供稳定的栅极驱动电压,极大地简化了电路设计。
其逻辑输入兼容TTL/CMOS电平(VIL=0.8V, VIH=2V),可直接与微处理器接口,具备良好的抗噪能力。采用8引脚SOIC表面贴装封装,适用于商业温度范围(0°C至70°C)内的各类电机驱动、电源转换和桥式拓扑应用,是实现高效、紧凑功率开关解决方案的核心驱动器件。



















