- 制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器，封装:10-DFN（3x2）
- 技术参数：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10DFN
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LT8672JDDB#TRPBF是一款由亚德诺半导体（Analog Devices）设计生产的高性能、高侧栅极驱动器集成电路。该器件采用先进的BCD工艺制造，其核心架构围绕一个能够承受高达42V工作电压的稳健电平转换与驱动级构建，内部集成了自举二极管和欠压锁定（UVLO）保护电路，确保了在恶劣电气环境下的可靠性与稳定性。其设计旨在为N沟道MOSFET提供高效、精准的开关控制，特别适用于需要将负载置于电源与开关之间的高侧驱动应用场景。
该驱动器具备宽范围的工作电压（3V至42V），使其能够灵活适配多种电源系统，从低电压逻辑控制到工业级高电压母线均可兼容。其非反相输入逻辑简化了与微控制器或数字信号处理器的接口设计，用户仅需提供标准的逻辑电平信号即可实现对高侧功率开关的可靠控制。器件内部集成的自举电路简化了外部元件需求，有助于减少整体解决方案的尺寸与成本。其结温工作范围覆盖-40°C至150°C，确保了在严苛的工业与汽车环境下的持续运行能力。
在接口与关键参数方面，LT8672JDDB#TRPBF采用紧凑的10引脚DFN表面贴装封装，非常适合空间受限的PCB布局。其单通道、高端驱动的配置，针对开关电源、电机控制、电磁阀驱动等应用进行了优化。宽供电电压范围直接支持12V、24V等常见工业总线，而高达42V的绝对最大额定值提供了充足的电压裕量，有效应对系统中的电压瞬变和浪涌。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ADI中国代理获取该器件的完整技术资料、样片以及设计支持服务。
该芯片的典型应用场景广泛，包括但不限于工业自动化中的PLC输出模块、电机驱动器和电磁阀控制器，汽车电子中的燃油喷射器驱动、水泵风扇控制，以及通信和服务器设备中的高侧负载开关。其稳健的设计使其成为在噪声环境、宽温度波动以及存在电压瞬态条件下，驱动感性或容性负载的理想选择，为系统设计师提供了一个简化高压侧开关设计、提升系统可靠性的关键组件。
- 型号:LT8672JDDB#TRPBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:10-DFN（3x2）
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10DFN
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:-
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:3V ~ 42V
- 逻辑电压- VIL，VIH:-
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
- 上升/下降时间（典型值）:-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:10-WFDFN 焊盘
- 供应商器件封装:10-DFN（3x2）
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LT8672JDDB#TRPBF是亚德诺半导体推出的一款单通道、高端配置的N沟道MOSFET栅极驱动器IC。该器件设计用于在3V至42V的宽电源电压范围内工作，为核心功率开关提供高效、可靠的驱动信号。
其关键特性包括集成了自举二极管，简化了高侧驱动的电源方案；采用非反相输入逻辑，便于与标准逻辑电路接口；并且具备-40°C至150°C的宽结温工作范围，确保在工业及汽车等严苛环境下的稳定性。该器件采用10-DFN紧凑型表面贴装封装，适用于空间受限的电机控制、电源转换及负载开关等应用。
