- 制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器，封装:10-DFN（3x2）
- 技术参数：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10DFN
- （丰富的AD公司产品，AD芯片采购平台）
- （提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格）
LT8672JDDB#TRMPBF是一款由ADI（Analog Devices Inc.）设计生产的高性能、高侧N沟道MOSFET栅极驱动器。该器件采用先进的BCD工艺制造，其核心架构集成了一个高压电平转换器、一个自举二极管和一个强大的输出驱动级，能够在高达42V的电源电压下稳定工作。这种设计使其能够高效地将来自低压控制逻辑（如MCU或DSP）的信号，转换为足以驱动高侧功率MOSFET栅极的高压、大电流脉冲，从而精确控制功率开关的通断。
该驱动器具备宽范围的工作电压（3V至42V），这使其能够灵活适配多种电源轨，从低电压逻辑电源到工业级高压总线均能覆盖。其单通道、非反相输入的设计简化了系统控制逻辑，用户可以直接输入PWM信号来控制高侧开关。为了确保在恶劣环境下的可靠性，器件结温工作范围扩展至-40°C至150°C，并采用紧凑的10引脚DFN表面贴装封装，非常适合空间受限的高密度电源设计。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过专业的ADI一级代理商获取此型号及相关解决方案。
在接口与关键参数方面，LT8672JDDB#TRMPBF专为驱动N沟道MOSFET优化。其高端驱动配置省去了传统设计中需要额外负压或隔离电源的复杂性，通过内部集成的自举电路即可为驱动级提供充足电压。虽然具体峰值驱动电流和开关速度未在基础参数中详列，但其作为ADI栅极驱动器系列的一员，通常具备快速开关和强驱动能力，有助于降低开关损耗并提高系统效率。其输入兼容常见的逻辑电平，确保了与主流控制器的无缝连接。
基于其稳健的性能，该器件广泛应用于需要高侧开关控制的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的高侧开关驱动、电机控制中的H桥或半桥拓扑、以及汽车电子系统中的负载开关（如燃油喷射器、电磁阀驱动）和工业自动化设备。其宽压、宽温的特性尤其适合应对汽车启停系统带来的电压波动和工业环境的温度挑战，是构建高效、可靠功率开关系统的关键组件。
- 型号:LT8672JDDB#TRMPBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:10-DFN（3x2）
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10DFN
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:-
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:3V ~ 42V
- 逻辑电压- VIL，VIH:-
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
- 上升/下降时间（典型值）:-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:10-WFDFN 焊盘
- 供应商器件封装:10-DFN（3x2）
- LT8672JDDB#TRMPBF优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。
LT8672JDDB#TRMPBF是ADI公司推出的一款单通道、高端N沟道MOSFET栅极驱动器IC。该器件设计用于在3V至42V的宽电源电压范围内工作，能够直接将低压逻辑信号转换为驱动高侧功率开关所需的高压栅极信号，简化了系统电源设计。
其核心优势在于集成了自举二极管，无需独立的隔离电源即可实现高侧驱动，并采用非反相输入以匹配标准控制逻辑。器件结温额定值为-40°C至150°C，并采用10-DFN表面贴装封装，确保了其在汽车、工业等严苛环境下的高可靠性和紧凑布局适应性。
