- 制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器，封装:10-DFN（3x2）
- 技术参数：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10DFN
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LT8672EDDB#TRPBF是一款由亚德诺半导体（Analog Devices）设计生产的高性能、高侧N沟道MOSFET栅极驱动器。该器件采用紧凑的10引脚DFN封装，专为在严苛的工业与汽车环境中驱动高端开关而优化。其核心架构围绕一个坚固的驱动级构建，集成了自举二极管和先进的电平转换电路，能够在宽达3V至42V的电源电压范围内稳定工作，确保对功率MOSFET栅极的精准、可靠控制。
该驱动器具备出色的鲁棒性与适应性。其单通道、非反相输入设计简化了控制逻辑接口，可直接与微控制器或逻辑电路连接。器件内部集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，防止在电源电压不足时驱动MOSFET进入不完全导通状态，从而避免功率损耗和热应力。得益于其高端驱动配置，LT8672EDDB#TRPBF非常适合用于需要开关节点浮地的拓扑结构，例如在半桥或全桥电路的高侧位置，或者在升压转换器中驱动同步整流管。
在接口与关键参数方面，该芯片支持宽范围的工作电压，覆盖了从低至3V的逻辑电平到高达42V的工业总线电压，使其具备极强的系统兼容性。其工作结温范围扩展至-40°C至125°C，确保了在极端温度环境下的可靠运行。表面贴装的10-DFN封装不仅节省了宝贵的电路板空间，还提供了良好的热性能。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过专业的ADI芯片代理获取该产品及相关设计资源。
基于上述特性，LT8672EDDB#TRPBF的应用场景主要集中于对效率和可靠性要求极高的领域。在汽车电子中，它可用于驱动燃油喷射器、电机控制单元中的高侧开关，或LED照明驱动。在工业自动化领域，它是伺服驱动器、电源模块和DC-DC转换器中高侧功率级驱动的理想选择。其宽压工作能力和宽温范围也使其适用于通信基础设施和需要高压侧开关控制的各种便携式或固定式电源管理系统。
- 型号:LT8672EDDB#TRPBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:10-DFN（3x2）
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10DFN
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:-
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:3V ~ 42V
- 逻辑电压- VIL，VIH:-
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
- 上升/下降时间（典型值）:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:10-WFDFN 焊盘
- 供应商器件封装:10-DFN（3x2）
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LT8672EDDB#TRPBF是ADI公司推出的一款高侧N沟道MOSFET栅极驱动器IC，属于电源管理IC中的栅极驱动器系列。该器件采用10-DFN表面贴装封装，以卷带形式提供，处于有源供货状态。
其核心设计针对高端驱动应用，提供单通道、非反相的逻辑输入控制。器件支持3V至42V的宽范围供电电压，能够直接适应多种总线电压环境。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C的结温，确保了在恶劣工业与汽车环境下的高可靠性运行。
这款驱动器通过集成关键功能并优化驱动性能，为需要高效、可靠地控制浮地开关节点的电源转换和电机驱动应用提供了一个紧凑而坚固的解决方案。
