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LT8311HFE#PBF 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源控制器,监视器,封装:20-TSSOP-EP
  • 技术参数:IC MOSFET DRIVER SYNC 20-TSSOP
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LT8311HFE#PBF 技术参数详情:

LT8311HFE#PBF 是一款由亚德诺半导体(ADI)设计的高性能次级侧同步整流控制器,采用20引脚TSSOP封装,专为提升隔离式开关电源转换效率而优化。其核心架构基于精准的电压检测与时序控制逻辑,能够直接驱动外部N沟道MOSFET,在反激或正激等拓扑的次级侧实现高效的同步整流功能,从而替代传统肖特基二极管,显著降低传导损耗与温升。

该器件集成了自适应栅极驱动控制快速关断保护机制,能够精确检测MOSFET体二极管导通状态,并在其开始导通前迅速开启MOSFET,最小化体二极管导通时间及反向恢复损耗。同时,其内部集成的欠压锁定(UVLO)与可调关断阈值功能,确保了在宽输入电压范围(3.7V至30V)及严苛工作温度(-40°C至150°C)下的稳定可靠运行。其供电电流典型值仅为4.5mA,有助于提升系统轻载效率。

在接口与参数方面,LT8311HFE#PBF设计简洁,外围元件需求少。其工作电压范围覆盖了常见的辅助绕组或输出电压,可直接从电源输出端取电。器件提供了关键的驱动输出引脚以控制外部MOSFET,并包含用于检测整流电压状态的反馈输入。其表面贴装型封装(20-TSSOP)适合高密度PCB布局,对于需要高效率、高功率密度电源设计的工程师而言,从专业的ADI一级代理商处获取此器件能确保正品供应与技术支持。

该控制器典型应用于采用反激拓扑的AC-DC适配器、USB PD充电器、工业辅助电源以及通信电源模块中。它特别适用于要求高效率、低待机功耗及高可靠性的场合,通过实现次级侧同步整流,可将电源整体效率提升数个百分比,满足日益严格的能效标准,并有助于减小散热器尺寸,实现更紧凑的电源解决方案。

  • 型号:LT8311HFE#PBF
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:20-TSSOP-EP
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源控制器,监视器
  • 描述:IC MOSFET DRIVER SYNC 20-TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 应用:次级侧控制器
  • 电压 - 输入:-
  • 电压 - 供电:3.7V ~ 30V
  • 电流 - 供电:4.5 mA
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:20-TSSOP(0.173,4.40mm 宽),16 引线,焊盘
  • 供应商器件封装:20-TSSOP-EP
  • LT8311HFE#PBF优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

LT8311HFE#PBF 是ADI推出的一款有源次级侧同步整流控制器,采用20-TSSOP封装,适用于表面贴装。其核心功能在于高效驱动外部MOSFET以替代传统整流二极管,从而显著降低电源损耗。

该器件工作电压范围宽达3.7V至30V,静态电流低至4.5mA,支持在-40°C至150°C的工业级温度范围内稳定工作。这些特性使其成为提升反激等隔离式电源转换效率、优化热管理和功率密度的关键组件,尤其适合高能效要求的适配器、充电器及工业电源应用。

LTM9011-14:14 位、125Msps 低功率 8 通道 ADC
HMC902-DIE:5 GHz至11 GHz GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器
LTC4441:N 沟道 MOSFET 栅极驱动器
ADP1712:300 mA、低压差、CMOS线性稳压器
ADPA1106:46 dBm (40 W)、2.7 GHz至3.5 GHz GaN功率放大器
LTC2387-18:18 位、15Msps SAR ADC
AD9571:以太网时钟发生器,10路时钟输出
ADUM141E:带输出使能和1个反向通道的鲁棒、四通道隔离器
ADA4938-2:超低失真差分ADC驱动器(双通道)
LT1791:具故障保护功能的 60V RS485/RS422 收发器
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