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LT8311EFE#PBF 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源控制器,监视器,封装:20-TSSOP-EP
  • 技术参数:IC MOSFET DRIVER SYNC 20-TSSOP
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LT8311EFE#PBF 技术参数详情:

LT8311EFE#PBF是ADI(Analog Devices)公司推出的一款高性能次级侧同步整流控制器,采用20引脚TSSOP封装。该器件专为隔离式反激拓扑结构设计,通过精确控制外部N沟道MOSFET的开关时序,取代传统肖特基二极管,从而显著提升电源转换效率。其内部集成了精密时序控制电路、栅极驱动器和欠压锁定(UVLO)等关键模块,能够在宽输入电压和负载范围内实现稳定可靠的同步整流操作。

该芯片的核心优势在于其自适应导通时间控制快速关断机制。它通过检测同步整流MOSFET的漏源电压(VDS)来智能判断最佳导通与关断时刻,有效防止反向导通和电流倒灌,确保系统在连续导通模式(CCM)、断续导通模式(DCM)以及准谐振(QR)模式下均能高效工作。其供电电压范围宽达3.7V至30V,静态工作电流仅为4.5mA,有助于降低系统待机功耗。同时,其工作温度范围覆盖-40°C至150°C,确保了在严苛工业环境下的稳定性和耐用性。

在接口与参数方面,LT8311EFE#PBF提供了强大的栅极驱动能力,能够快速驱动大功率MOSFET,减少开关损耗。其表面贴装型封装(20-TSSOP)便于高密度PCB布局。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,通过正规的ADI一级代理商进行采购是确保产品正品与获取完整设计资源的有效途径。

该控制器广泛应用于要求高效率和高功率密度的AC-DC电源适配器、USB PD充电器、工业辅助电源以及网络通信设备电源等场景。通过优化次级侧的整流效率,它能帮助系统设计轻松满足日益严格的能效标准,如CoC V5和DoE Level VI,是实现紧凑型、高效率隔离电源解决方案的关键组件。

  • 型号:LT8311EFE#PBF
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:20-TSSOP-EP
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源控制器,监视器
  • 描述:IC MOSFET DRIVER SYNC 20-TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 应用:次级侧控制器
  • 电压 - 输入:-
  • 电压 - 供电:3.7V ~ 30V
  • 电流 - 供电:4.5 mA
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:20-TSSOP(0.173,4.40mm 宽),16 引线,焊盘
  • 供应商器件封装:20-TSSOP-EP
  • LT8311EFE#PBF优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

LT8311EFE#PBF是一款来自ADI的次级侧同步整流控制器,采用20-TSSOP封装。该器件专为提升反激式电源转换效率而设计,通过驱动外部MOSFET替代传统整流二极管,可显著降低次级侧的导通损耗。

其核心特性包括宽范围供电电压(3.7V至30V)和低至4.5mA的静态电流,支持高效率与低待机功耗设计。器件工作温度范围为-40°C至150°C,具备优异的工业级可靠性,适用于各类高密度、高效率的隔离电源应用。

ADF4356:集成VCO的6.8 GHz宽带频率合成器
ADF7021-V:高性能窄带收发器IC
LTM2887:具双可调 5V 稳压器的 SPI / 数字或 I2C μModule 隔离器
HMC863ALC4:GaAs pHEMT MMIC 1/2 W功率放大器,24 - 29.5 GHz
LTC1663:具二线式接口的 10 位轨至轨微功率 DAC
ADL8142S:GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,23 GHz 至 31 GHz
AD8418A:双向、零漂移、电流检测放大器
HMC-C042:I/Q混频器/IRM模块,8.5 - 13.5 GHz
HMC681A:提供串行控制功能的0.5 dB LSB GaAs MMIC 6位数字可变增益放大器,DC - 1 GHz
ADM2561E:3 kV RMS信号和电源隔离RS-485收发器,提供±15 kV IEC ESD保护
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