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LT4356HDE-3#PBF 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:电路保护 > 浪涌抑制 IC,封装:12-DFN(4x3)
  • 技术参数:IC REG OVP W/LATCHOFF 12DFN
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LT4356HDE-3#PBF 技术参数详情:

LT4356HDE-3#PBF是一款由Analog Devices设计生产的高可靠性、汽车级浪涌抑制器IC。该器件采用外部N沟道MOSFET作为开关元件,构建了一个主动式过压和过流保护前端。其核心架构围绕一个精密比较器和可编程定时器展开,能够持续监测输入电压与电流,当检测到超出预设阈值的浪涌或故障时,迅速控制外部MOSFET的动作,从而将下游敏感电路的输入电压箝位在安全水平,或通过锁存关断机制实现彻底的保护隔离。

该芯片的功能特点突出其坚固性与灵活性。其可调电压箝位功能允许用户通过外部电阻网络将箝位电压设置在最高27V,以适应不同的后端系统需求。锁存关断模式是LT4356HDE-3#PBF的关键特性之一,一旦触发,器件将保持关断状态直至电源循环,这能有效防止在持续故障条件下对电路造成反复冲击,极大提升了系统的长期可靠性。此外,其设计支持在宽输入电压范围内工作,并集成了用于驱动外部MOSFET的电荷泵,确保开关在恶劣条件下也能快速、可靠地响应。

在接口与参数方面,该器件采用紧凑的12引脚DFN表面贴装封装,适用于高密度PCB布局。其工作温度范围满足严苛的汽车电子应用要求。关键参数如过压检测阈值、过流检测阈值以及故障响应时间均可通过外部元件进行精细调节,为工程师提供了高度的设计自由度。这使得它不仅能处理快速的电压瞬变,也能应对持续时间较长的浪涌事件。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过专业的ADI芯片代理获取该型号及其相关技术资源。

基于其高可靠性和汽车级认证,LT4356HDE-3#PBF的理想应用场景主要集中在要求苛刻的交通运输和工业领域。它常被用于保护汽车电子控制单元(ECU)、车载信息娱乐系统、工业总线(如CAN、RS-485)接口以及电信基站设备,使其免受负载突降、电池反接、冷启动等引起的电源线浪涌损害。它同样适用于任何需要坚固前端保护的24V或12V分布式电源系统,是提升系统稳健性和平均无故障时间(MTBF)的关键组件。

  • 型号:LT4356HDE-3#PBF
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:12-DFN(4x3)
  • 类目:电路保护 > 浪涌抑制 IC
  • 描述:IC REG OVP W/LATCHOFF 12DFN
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 箝位:27V,可调
  • 技术:外部开关
  • 电路数:1
  • 应用:-
  • 等级:汽车级
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:12-WFDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:12-DFN(4x3)
  • LT4356HDE-3#PBF优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

LT4356HDE-3#PBF是ADI公司推出的一款汽车级浪涌抑制器集成电路,采用12-WFDFN表面贴装封装。该器件通过控制一个外部N沟道MOSFET,为核心卖点提供高达27V的可调过压箝位保护,并能通过锁存关断机制实现彻底的故障隔离。

其设计针对严苛的汽车电子环境,能够有效抵御负载突降等引起的电源瞬态威胁。通过外部元件可灵活配置保护阈值与定时,为下游敏感电路构建了一个坚固可靠的前端保护屏障,显著提升整个电源系统的稳健性与安全性。

LTC4012:具 PowerPath 控制功能的高效率型多化学组成电池充电器
HMC451LC3:中等功率放大器,采用SMT封装,5 - 20 GHz
HMC-C055:22.5° 4位数字移相器模块,8 - 12 GHz
AD9858:1 GSPS直接数字频率合成器
LTC1458:4 通道 12 位轨至轨微功率 DAC
HMC1122:0.1 GHz至6.0 GHz、0.5 dB LSB、6位硅数字衰减器
ADCMP564:双路高速ECL比较器,采用20引脚QSOP封装
HMC365-DIE:InGaP HBT 4分频芯片,DC - 13 GHz
ADG709:CMOS、低压、3 Ω、4通道多路复用器
AD9175:具有宽带信道选择器的双通道 11 位/16 位 12.6 GSPS RF DAC
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