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LT4320IN8-1#PBF 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > OR 控制器,理想二极管,封装:8-PDIP
  • 技术参数:IC OR CTRLR BRIDGE RECT 8DIP
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LT4320IN8-1#PBF 技术参数详情:

在需要高效率、低损耗桥式整流的电源系统中,LT4320IN8-1#PBF提供了一个创新的解决方案。这款由Analog Devices(ADI)设计的理想二极管桥控制器,其核心架构旨在取代传统的硅二极管整流桥。它通过驱动四个外部N沟道MOSFET来模拟理想二极管的行为,从而在9V至72V的宽输入电压范围内,实现近乎零正向压降的整流功能,显著降低了导通损耗和热耗散。

该器件的功能特点突出体现在其高效率与可靠性上。由于采用MOSFET作为开关元件,其正向压降仅由MOSFET的导通电阻决定,远低于传统二极管的固定压降,这在处理大电流时带来的效率提升尤为明显。控制器内部集成了精密的比较器和驱动电路,能够精确控制外部MOSFET的导通与关断时序,确保电流始终通过正向偏置的“二极管”路径,有效防止反向电流和漏电。其静态工作电流仅为1.5mA,有助于降低系统待机功耗。对于需要可靠供应链的客户,通过ADI授权代理可以确保获得正品器件与技术支持。

在接口与参数方面,LT4320IN8-1#PBF采用标准的8引脚DIP通孔封装,便于在原型设计或需要高可靠性的工业板卡上进行安装。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C,确保了在严苛环境下的稳定运行。该控制器本身不集成功率开关,这赋予了设计灵活性,允许工程师根据具体的电流和电压需求选择最合适的外部MOSFET,以优化成本与性能。

基于其宽电压范围、高效率和高可靠性的特点,该芯片非常适合应用于通信基站电源、工业自动化设备、汽车电子以及可再生能源系统(如太阳能逆变器)的AC/DC前端整流环节。在这些场景中,减少整流阶段的能量损耗对于提升整体系统效率、降低散热需求和增强可靠性都至关重要,而LT4320IN8-1#PBF正是为此类高性能需求而设计的核心控制器。

  • 型号:LT4320IN8-1#PBF
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-PDIP
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > OR 控制器,理想二极管
  • 描述:IC OR CTRLR BRIDGE RECT 8DIP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 类型:桥式整流器
  • FET 类型:N 通道
  • 比率 - 输入:桥(1)
  • 内部开关:无
  • 延迟时间 - 开启:-
  • 延迟时间 - 关闭:-
  • 电流 - 输出(最大值):-
  • 电流 - 供电:1.5 mA
  • 电压 - 供电:9V ~ 72V
  • 应用:通用
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:8-DIP(0.300,7.62mm)
  • 供应商器件封装:8-PDIP
  • LT4320IN8-1#PBF优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

LT4320IN8-1#PBF是ADI公司推出的一款理想二极管桥式整流控制器,属于电源管理IC中的OR控制器/理想二极管系列。该器件通过驱动外部N沟道MOSFET来替代传统的二极管整流桥,核心优势在于能够大幅降低整流过程中的正向压降和功率损耗。

其工作电压范围宽达9V至72V,静态电流低至1.5mA,适用于通用型电源应用。器件采用8引脚DIP通孔封装,可在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作,为通信、工业和汽车等高要求领域的电源前端设计提供了高效、可靠的整流解决方案。

HMC-ABH264:中等功率放大器芯片,34 - 42 GHz
LTC4249:集成电流监控器的65V双通道电子断路器
AD5343:+2.5V至5.5V、230 A、双通道、轨到轨电压输出12位DAC,内置字节载入并行接口,采用20引脚TSSOP封装
ADA4637-1:30 V、80 MHz、低噪声、低偏置电流、JFET运算放大器
AD7191:引脚可编程、超低噪声、24位、Σ-Δ型ADC,用于桥式传感器
ADUM3153:用于SPI的3.75 kV、7通道、SPIsolator数字隔离器(0/3辅助通道方向性)
HMC447:使用InGaP HBT技术,4分频,采用SMT封装,10 - 26 GHz
LTC4098-3.6:具过压保护功能的 USB 兼容型开关电源管理器/磷酸铁锂电池充电器
ADR433:超低噪声、3.0V XFET基准电压源,具有吸电流和源电流能力
ADG612:1 pC的超低电荷注入、100 pA的泄漏电流/CMOS、±5 V/5 V/3 V、四通道单刀单掷开关
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