LT1336IS#TRPBF是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高性能半桥栅极驱动器IC，采用16引脚SOIC封装，专为高效、可靠地驱动N沟道功率MOSFET而设计。该器件内部集成了两个独立的驱动器通道，分别用于控制半桥拓扑中的高侧和低侧开关管。其架构集成了自举二极管和电平移位电路，简化了高侧驱动的供电设计，同时内部逻辑确保了两路驱动信号之间存在可编程的死区时间，有效防止了桥臂直通的风险，这对于开关电源和电机驱动等应用至关重要。

在功能特性上，该驱动器展现了出色的性能。其峰值输出电流能力达到1.5A（拉电流和灌电流），能够快速地对MOSFET的栅极电容进行充放电，从而显著降低开关损耗并提升系统效率。典型的上升和下降时间分别为130ns和60ns，确保了开关动作的快速与清晰。器件支持10V至15V的宽范围单电源供电，逻辑输入兼容TTL/CMOS电平（VIL=0.8V， VIH=2V），且为非反相设计，便于与微控制器或数字信号处理器直接接口。其高侧驱动可承受高达60V的电压，为应用提供了充足的裕量。可靠的ADI代理商网络能够为工程师提供完整的技术支持和稳定的供货保障。

从接口与参数来看，LT1336IS#TRPBF在-40°C至125°C的宽结温范围内均能保证稳定工作，符合工业级和汽车级应用对鲁棒性的严苛要求。表面贴装的16-SOIC封装形式适合自动化生产，卷带（TR）包装则便于大规模制造中的贴片机操作。其独立的通道配置为设计提供了灵活性，既可以用于标准的半桥电路，也可以配置为两个独立的单端驱动器。

基于上述技术特点，该器件非常适合应用于需要高效功率转换和精密控制的领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动（如无刷直流电机和步进电机）、不间断电源（UPS）以及光伏逆变器等。在这些场景中，其快速开关能力、强大的驱动强度以及集成的保护功能，有助于构建高效率、高功率密度且可靠的功率电子系统。

• 型号:LT1336IS#TRPBF
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:16-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 15V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:60 V
• 上升/下降时间（典型值）:130ns，60ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:16-SO
• LT1336IS#TRPBF优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。

LT1336IS#TRPBF是一款来自ADI的16-SOIC封装半桥栅极驱动器IC，属于有源的电源管理器件。它集成了两个独立的驱动器，专门用于驱动N沟道MOSFET，其设计核心在于提供高效、可靠的开关控制。

该器件具备1.5A的峰值拉电流和灌电流输出能力，配合130ns和60ns的典型上升/下降时间，可实现对功率开关管的快速驱动，有效降低开关损耗。它采用10V至15V单电源供电，逻辑输入兼容性强（VIL/VIH: 0.8V/2V），并集成了自举功能以支持高达60V的高侧驱动电压。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。