
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:20-SO
- 技术参数:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 20SOIC
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LT1161ISW#PBF是一款由ADI(Analog Devices)设计生产的高性能、高边N沟道MOSFET栅极驱动器。该器件采用先进的CMOS工艺和稳健的架构,旨在为严苛的工业与汽车应用提供可靠、高效的功率开关控制解决方案。其核心设计专注于在宽电压范围内驱动多个高边开关,内部集成了自举充电电路和电平转换器,有效简化了外部电路设计,同时确保了在高达48V的系统电压下,栅极驱动信号具备优异的抗噪能力和快速响应特性。
该驱动器的功能特点突出体现在其四通道独立高边驱动能力上,每个通道均可独立控制一个N沟道MOSFET。其宽泛的8V至48V工作电压范围,使其能够灵活适配12V、24V乃至48V的电池或总线系统。输入逻辑兼容标准CMOS/TTL电平(VIL=0.8V, VIH=2V),确保了与微控制器或逻辑电路的直接、简易接口。器件内部集成了电荷泵,为高边驱动提供了自举电源,省去了外部自举二极管,不仅节省了空间,也提升了系统的可靠性。其坚固的设计使其能够在-40°C至150°C的宽结温范围内稳定工作,尤其适合环境恶劣的应用场合。
在接口与关键参数方面,LT1161ISW#PBF采用20引脚SOIC封装,便于表面贴装(SMT)生产。其非反相的逻辑输入设计,使得控制信号直观明了。虽然原始参数中未明确峰值输出电流与上升/下降时间的具体数值,但作为ADI电源管理IC栅极驱动器系列的一员,其驱动能力经过优化,足以快速对功率MOSFET的栅极电容进行充放电,从而降低开关损耗,提升系统效率。对于需要稳定供应和深度技术支持的客户,通过正规的ADI一级代理商进行采购是保障产品正品与获取完整应用资源的可靠途径。
基于其高边驱动、多通道和宽压工作的特性,LT1161ISW#PBF非常适合于需要控制连接到电源正极的负载的应用场景。典型应用包括工业自动化中的电磁阀、继电器阵列、电机预驱动器,汽车电子中的车身控制模块(BCM)、LED照明驱动、燃油喷射系统,以及通信设备中的热插拔控制和电源分配开关。在这些系统中,它提供了紧凑、高效且可靠的功率接口解决方案。
- 型号:LT1161ISW#PBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:20-SO
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 20SOIC
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:高端
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:4
- 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
- 电压 - 供电:8V ~ 48V
- 逻辑电压- VIL,VIH:0.8V,2V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值(自举):-
- 上升/下降时间(典型值):-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:20-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:20-SO
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LT1161ISW#PBF是ADI公司推出的一款四通道、高边N沟道MOSFET栅极驱动器IC。该器件设计用于在8V至48V的宽电源电压范围内工作,可直接驱动四个独立的功率开关,其输入逻辑门限兼容标准CMOS/TTL电平,便于与微处理器接口。
其核心优势在于集成了自举充电电路,简化了高边驱动所需的电源设计。采用20-SOIC表面贴装封装,工作结温范围覆盖-40°C至150°C,确保了在工业控制、汽车电子等恶劣环境下的高可靠性应用,为多路高边开关控制提供了一个高度集成化的解决方案。



















