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  • 制造厂商:AD
  • 类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:20-DIP(0.300,7.62mm)
  • 技术参数:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 20DIP
  • (丰富的AD公司产品,AD芯片采购平台)
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LT1161IN#PBF 技术参数详情:

还在为驱动高压侧MOSFET而烦恼吗?LT1161IN#PBF正是您期待的解决方案。这颗来自ADI的高端栅极驱动器,能轻松驾驭高达48V的供电环境,精准、高效地驱动您的N沟道MOSFET,让功率开关动作既迅速又可靠。

它集成了四个独立通道,让您用单颗芯片即可管理复杂的多开关拓扑,大幅简化布局。其宽工作温度范围(-40°C至150°C)和坚固的通孔封装,确保您的设计在工业级应用中稳定运行。选择它,就是为您的电源管理系统注入高效与稳健的核心动力。

  • 制造商产品型号:LT1161IN#PBF
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 20DIP
  • 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装:管件
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 驱动配置:高端
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:4
  • 栅极类型:N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电:8V ~ 48V
  • 逻辑电压-VIL,VIH:0.8V,2V
  • 电流-峰值输出(灌入,拉出):-
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压-最大值(自举):-
  • 上升/下降时间(典型值):-
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 产品封装:20-DIP(0.300,7.62mm)
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