还在为电源转换效率不够高、开关噪声过大而头疼吗？LT1160IS#TRPBF正是您的高效动力引擎。这颗半桥栅极驱动器能为您精准、强劲地驱动功率MOSFET，其1.5A的峰值输出电流和纳秒级的开关速度，让您轻松实现更低的开关损耗和更高的系统频率，从而打造出更紧凑、更高效的电源与电机驱动方案。

它专为N沟道MOSFET设计，支持高达60V的自举电压，并拥有宽范围供电与工业级温度耐受能力。无论您的应用场景是DC-DC转换器、电机控制器还是其他开关电源，LT1160IS#TRPBF都能以卓越的可靠性和易用性，助您简化设计流程，加速产品上市，并显著提升终端产品的性能与市场竞争力。

• 制造商产品型号：LT1160IS#TRPBF
• 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
• 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
• 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 驱动配置：半桥
• 通道类型：独立式
• 驱动器数：2
• 栅极类型：N 沟道 MOSFET
• 电压-供电：10V ~ 15V
• 逻辑电压-VIL，VIH：0.8V，2V
• 电流-峰值输出（灌入，拉出）：1.5A，1.5A
• 输入类型：非反相
• 高压侧电压-最大值（自举）：60V
• 上升/下降时间（典型值）：130ns，60ns
• 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• LT1160IS#TRPBF优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。