- 制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器，封装:14-PDIP
- 技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
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LT1160IN#PBF是一款由亚德诺半导体（Analog Devices）设计生产的高性能半桥栅极驱动器集成电路，采用14引脚DIP封装。该器件专为高效、可靠地驱动N沟道功率MOSFET而设计，其内部集成了两个独立的驱动器通道，分别用于控制半桥拓扑中的高侧和低侧开关管。其架构包含了自举电路所需的浮动高侧电源，允许高侧驱动器在高达60V的电压下工作，同时集成了防止直通的死区时间控制逻辑，这对于避免桥臂短路、确保系统安全至关重要。其输入逻辑兼容TTL和CMOS电平，简化了与微控制器或数字信号处理器的接口设计。
在功能表现上，该驱动器具备1.5A的峰值拉电流和灌电流驱动能力，能够快速对功率MOSFET的栅极电容进行充放电，从而显著降低开关损耗。其典型的上升时间和下降时间分别为130ns和60ns，确保了开关动作的快速与清晰，有助于提升整体电源转换效率并减少电磁干扰（EMI）。器件工作在10V至15V的单电源电压下，逻辑输入阈值设计为0.8V（VIL）和2V（VIH），提供了良好的噪声容限。其非反相的输入特性使得控制逻辑直观，便于系统设计。广泛的工作温度范围（-40°C 至 125°C 结温）使其能够适应工业、汽车等严苛环境下的应用需求。
在接口与参数方面，LT1160IN#PBF通过通孔形式的14-DIP封装提供可靠的机械连接，适合需要高可靠性的板级应用。其高压侧自举电压最大值（60V）和对称的驱动电流能力是其关键电气参数，直接决定了其在开关电源、电机控制等应用中的性能上限。用户可以通过ADI中国代理获取该产品的技术支持和供货信息，以保障设计项目的顺利推进。
基于其强大的驱动能力和鲁棒的设计，LT1160IN#PBF非常适合应用于多种功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的同步整流和半桥/全桥拓扑、直流-直流转换器、无刷直流（BLDC）电机驱动器以及高频逆变器。在这些应用中，它能够有效提升系统效率、功率密度和可靠性，是工程师构建高性能功率电子系统的关键组件之一。
- 型号:LT1160IN#PBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:14-PDIP
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:10V ~ 15V
- 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:60 V
- 上升/下降时间（典型值）:130ns，60ns
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:14-DIP（0.300，7.62mm）
- 供应商器件封装:14-PDIP
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LT1160IN#PBF是ADI公司推出的一款半桥栅极驱动器IC，采用14引脚DIP通孔封装，专为驱动N沟道MOSFET而优化。该器件集成了两个独立通道，支持高达60V的自举电压，并提供对称的1.5A峰值拉灌电流输出能力，可实现快速、高效的功率开关控制。
其逻辑输入兼容TTL/CMOS电平（VIL=0.8V， VIH=2V），采用非反相设计，接口简单。典型上升/下降时间分别为130ns和60ns，有助于降低开关损耗。器件在10V至15V单电源下工作，并具备-40°C至125°C的宽结温工作范围，确保了在工业及汽车等严苛环境下的稳定性和可靠性。
