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HMC998LP5E 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频放大器,封装:32-QFN(5x5)
  • 技术参数:IC RF AMP GPS 100MHZ-20GHZ 32QFN
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HMC998LP5E 技术参数详情:

HMC998LP5E是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的高性能、宽带通用射频放大器芯片。该器件采用先进的GaAs(砷化镓)pHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)工艺制造,其核心架构旨在实现从100MHz到20GHz的超宽频带内稳定、高效的信号放大。这种宽频带覆盖能力使其能够兼容从VHF到Ku波段的多种应用,减少了系统设计中因频段切换而需要多个放大器的复杂性,为多频段或宽带系统提供了高度集成的解决方案。

在功能特性上,该放大器在极宽的频率范围内提供了11dB的典型增益31dBm的输出1dB压缩点(P1dB),确保了出色的线性度和输出功率能力,能够有效驱动后续混频器等有源器件。同时,其4.5dB的噪声系数在同类功率放大器中表现优异,在放大信号的同时有效控制了系统噪声的引入,这对于接收链路或对信噪比有要求的应用至关重要。芯片采用单电源+15V供电,典型工作电流为500mA,功耗与性能达到了良好的平衡。

该芯片的接口与物理参数设计充分考虑了现代射频系统的需求。它采用紧凑的32引脚、5mm x 5mm QFN(四方扁平无引线)表面贴装封装,便于高密度PCB布局和自动化生产。其内部集成了隔直电容和匹配网络,外部电路设计得以简化,通常仅需配置电源去耦和偏置电路即可工作,显著加快了开发周期。用户可通过ADI授权代理获取完整的设计支持资料,包括详细的评估板原理图和布局文件,以优化最终性能。

基于其卓越的宽带性能、高线性输出和适中的噪声水平,HMC998LP5E非常适合应用于测试与测量设备(如频谱分析仪、信号发生器)、点对点微波通信、卫星通信终端、电子战(EW)系统以及宽带中继与驱动放大器等场景。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计理念和性能指标在相关领域仍具有重要的参考价值,现有库存或替代方案的选择可通过正规渠道进行咨询。

  • 型号:HMC998LP5E
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:32-QFN(5x5)
  • 类目:射频和无线 > 射频放大器
  • 描述:IC RF AMP GPS 100MHZ-20GHZ 32QFN
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:停产
  • 频率:100MHz ~ 20GHz
  • P1dB:31dBm
  • 增益:11dB
  • 噪声系数:4.5dB
  • 射频类型:通用
  • 电压 - 供电:15V
  • 电流 - 供电:500mA
  • 测试频率:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:32-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:32-QFN(5x5)
  • HMC998LP5E优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC998LP5E是一款覆盖100MHz至20GHz超宽频段的通用射频放大器。它在整个频段内提供11dB的稳定增益,并具备31dBm的高输出1dB压缩点,确保了卓越的线性功率处理能力,同时将噪声系数控制在4.5dB,实现了输出功率与系统噪声性能的优异平衡。

该器件采用+15V单电源供电,工作电流典型值为500mA,集成度高,外部电路设计简洁。其采用32引脚QFN表面贴装封装,便于集成到高密度射频系统中。这些特性使其成为宽带测试设备、微波通信链路和电子战系统中驱动与中继放大的理想选择。

ADG918:宽带、43 dB隔离(1 GHz)、CMOS 1.65 V至2.75 V、2:1 Mux/SPDT开关
ADRF5731:2 dB LSB、4位硅数字衰减器,100 MHz至40 GHz
ADRF5160:0.7 GHz 至 4.0 GHz 高功率 88 W 峰值硅 SPDT 反射开关
ADCMP563:双路高速ECL比较器,采用16引脚QSOP封装
AD8027:低失真、高速轨到轨输入/输出放大器
ADPD1081:光电式脉搏波测量模拟前端
SSM3582:2x31.76 W、数字输入、无滤波器D类立体声音频放大器
LTM2892:SPI / 数字或 I2C μModule 隔离器
AD5160:256位、SPI兼容型数字电位器
AD5064:全精度、四通道、16位、缓冲电压输出、4.5 V至5.5 V nanoDAC,采用SPI接口
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