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HMC977LP4ETR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:24-QFN(4x4)
  • 技术参数:IC MMIC IQ DOWNCONVERTER 24QFN
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HMC977LP4ETR 技术参数详情:

HMC977LP4ETR是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的高性能单片微波集成电路(MMIC)IQ下变频器。该器件采用先进的GaAs(砷化镓)pHEMT工艺制造,集成了完整的射频接收链路前端功能于一个紧凑的24引脚QFN封装内。其核心架构包含一个高线性度的射频低噪声放大器(LNA)、一个本振(LO)缓冲放大器、一对高隔离度的I/Q混频器以及必要的偏置与控制电路,实现了从射频信号直接到基带I/Q信号的直接转换,极大简化了系统设计复杂度。

在功能表现上,该芯片覆盖20GHz至28GHz的Ka波段工作频率,非常适合卫星通信、点对点无线回传以及雷达系统应用。高达14dB的转换增益有效降低了后级放大电路的设计压力,而仅2.5dB的噪声系数则确保了接收链路具有优异的灵敏度,这对于微弱信号的探测至关重要。其内置的I/Q混频器能够直接输出正交基带信号,为数字调制解调提供了便利,同时集成的LO缓冲器降低了对驱动信号功率的要求,提升了系统的集成度与可靠性。

在接口与电气参数方面,HMC977LP4ETR采用表面贴装型封装,便于自动化生产。其供电电压为单4.5V,典型工作电流为170mA,功耗控制在一个合理的水平。对于需要批量采购或技术支持的设计团队,可以通过正规的ADI代理渠道获取样品、数据手册以及深入的应用指导。该芯片的射频和本振端口均为单端设计,并已内部匹配至50欧姆,简化了板级阻抗匹配设计。其工作温度范围满足商业及工业级应用需求,确保了在复杂环境下的稳定性能。

综合其高性能指标与高集成度设计,HMC977LP4ETR主要面向对尺寸、性能和成本有综合要求的现代微波系统。典型应用场景包括甚小孔径终端(VSAT)卫星接收机、5G毫米波基础设施的无线回传单元、测试与测量设备中的下变频模块,以及相控阵雷达系统的接收通道。它为工程师在Ka波段构建紧凑、高效且高性能的接收前端提供了一个经过验证的优选解决方案。

  • 型号:HMC977LP4ETR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:24-QFN(4x4)
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MMIC IQ DOWNCONVERTER 24QFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 射频类型:通用
  • 频率:20GHz ~ 28GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:14dB
  • 噪声系数:2.5dB
  • 辅助属性:降频变频器
  • 电流 - 供电:170mA
  • 电压 - 供电:4.5V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:24-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:24-QFN(4x4)
  • HMC977LP4ETR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC977LP4ETR是ADI公司推出的一款单片微波集成电路(MMIC)IQ下变频器,采用24引脚QFN表面贴装封装。该器件工作于20GHz至28GHz的Ka波段,集成了低噪声放大器、本振缓冲器和I/Q混频器,提供完整的射频至基带下变频功能。

其核心性能优势在于14dB的高转换增益2.5dB的低噪声系数,这显著提升了接收链路的信号放大能力和灵敏度。芯片采用单4.5V供电,典型电流170mA,在实现高性能的同时兼顾了功耗控制。这款高集成度下变频器非常适用于卫星通信、点对点射频链路以及雷达系统等要求紧凑设计与优异射频指标的应用场景。

ADP3631:高速、双通道、2 A MOSFET驱动器
ADUM230D:鲁棒的5kV RMS三通道数字隔离器,输入禁用(3/0通道方向性)
ADP1660:内置I2兼容接口的双通道750 mA LED闪光灯驱动器
LTC2369-18:具 96.5dB SNR 的 18 位、1.6Msps、伪差分单极性 SAR ADC
LTC4215-1:具 I2C 兼容型监视功能的热插拔控制器
AD8349:700 MHz 至2.7 GHz 直接上变频正交调制器
ADM8829:开关电容电压反相器
ADA4091-4:精密、微功耗、OVP、RRIO四通道运算放大器
ADM6319:内置手动复位功能的监控电路,推挽高电平有效/推挽低电平有效
LTC2246H:采用 LQFP 封装的 14 位、25Msps、125°C ADC
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