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HMC977LP4E 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:24-QFN(4x4)
  • 技术参数:IC MMIC IQ DOWNCONVERTER 24-QFN
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HMC977LP4E 技术参数详情:

HMC977LP4E是一款由Analog Devices设计生产的高性能单片微波集成电路(MMIC)IQ下变频器,采用紧凑的24引脚QFN封装,专为工作在20GHz至28GHz Ka波段的射频系统而优化。该器件集成了一个完整的I/Q(同相/正交)接收通道,其核心架构基于先进的GaAs(砷化镓)pHEMT工艺,实现了从射频输入到中频输出的高集成度信号链。这种高度集成的设计不仅显著减少了外部元件数量和PCB板面积,还通过精密的片上匹配网络确保了在宽频带内优异的幅度与相位平衡性能,为复杂的调制解调应用提供了坚实的基础。

在功能层面,该器件作为降频变频器,能够将20GHz至28GHz的高频射频信号直接下变频至基带或低中频,同时输出分离的I路和Q路信号。其14dB的典型转换增益有效降低了系统对后续中频放大器增益的要求,而仅2.5dB的噪声系数则最大限度地保留了输入信号的载噪比,这对于提升接收机灵敏度至关重要。器件内部集成了本振(LO)缓冲放大器和射频/中频放大器,确保了稳定的驱动能力和良好的端口隔离度。其供电要求为单电源4.5V,典型工作电流为170mA,功耗控制得当,适合对能效有要求的便携或高密度集成应用。用户可以通过专业的ADI一级代理商获取完整的技术支持、样片和供货服务。

在接口与参数方面,HMC977LP4E采用表面贴装型封装,便于自动化生产。其射频(RF)和本振(LO)端口均内部匹配至50欧姆,简化了电路板设计。除了核心的增益和噪声系数指标外,该器件在指定频带内还具备出色的输入三阶截点(IP3)和镜像抑制能力,能够有效处理高动态范围的信号并抑制干扰。其工作温度范围宽,可靠性高,满足工业级应用的标准。

基于其卓越的毫米波性能和高度集成的特性,HMC977LP4E非常适合于点对点无线通信、卫星通信终端、微波回传设备、雷达传感器以及测试测量仪器等应用场景。在这些系统中,它能够作为核心的射频前端下变频模块,实现高频信号的高保真、低噪声接收,为后续的数字信号处理提供高质量的模拟基带信号输入。

  • 型号:HMC977LP4E
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:24-QFN(4x4)
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MMIC IQ DOWNCONVERTER 24-QFN
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:在售
  • 射频类型:通用
  • 频率:20GHz ~ 28GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:14dB
  • 噪声系数:2.5dB
  • 辅助属性:降频变频器
  • 电流 - 供电:170mA
  • 电压 - 供电:4.5V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:24-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:24-QFN(4x4)
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HMC977LP4E是ADI公司推出的一款MMIC IQ下变频器,采用24-VFQFN表面贴装封装。该器件工作于20GHz至28GHz的Ka波段,集成了完整的I/Q接收通道,提供14dB的转换增益和仅2.5dB的优异噪声系数,能有效提升接收链路的信噪比与灵敏度。

作为一款有源降频变频器,其单芯片解决方案集成了LO驱动和放大功能,仅需单4.5V电源供电,典型电流170mA,显著简化了外部电路设计。其高集成度与出色的射频性能,使其成为毫米波通信、雷达及测试设备中实现高性能下变频功能的理想选择。

AD848:高速、低功耗、增益5稳定、单芯片运算放大器
HMC452ST89:1 W功率放大器,采用SMT封装,0.4 - 2.2 GHz
AD8602:具有极低失调电压的DigiTrim轨到轨输入和输出双通道运算放大器
ADP5037:双通道、3 MHz、800 ma降压稳压器和两个300 ma LDOS
ADG452:LC2MOS 5Ω导通电阻单刀单掷开关
AD549:超低输入偏置电流运算放大器
ADG1222:低电容、低电荷注入、 ±15 V/+12 V iCMOS 双通道单刀单掷开关
ADUM4221:隔离式半桥栅极驱动器,具有可调停滞时间,4 A 输出
AD5318:2.5 V至5.5 V、八通道、电压输出10位DAC,采用16引脚TSSOP封装
ADM2485:2.5 kV信号隔离、高速(16 Mbps)、半双工RS-485收发器,内置变压器驱动器
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