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HMC973ALP3ETR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 衰减器,封装:
  • 技术参数:RF ATTENUATOR 28DB 50OHM 16VFQFN
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HMC973ALP3ETR 技术参数详情:

HMC973ALP3ETR是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能、固定值射频衰减器,采用先进的GaAs工艺制造,封装于紧凑的16引脚VFQFN(超薄四方扁平无引线)封装内。该器件设计用于在500MHz至6GHz的宽频带范围内提供精确且稳定的28dB信号衰减,其核心架构基于经过优化的分布式衰减网络,确保了在整个工作频段内优异的衰减平坦度和良好的回波损耗特性。这种设计使得信号在通过衰减器时,幅度被精确控制的同时,相位失真和群延迟变化被降至最低,对于维持信号完整性至关重要。

该器件的功能特点突出表现在其卓越的射频性能上。它在整个指定频率范围内提供了高度一致的衰减精度出色的线性度,其50欧姆的标称阻抗能够与大多数射频系统实现良好匹配,有效减少信号反射。作为一款无源器件,HMC973ALP3ETR无需外部偏置,简化了系统设计并提高了可靠性。其紧凑的封装形式不仅节省了宝贵的电路板空间,还优化了高频下的寄生参数,确保了性能的稳定性。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过正规的ADI芯片代理获取此产品,确保原装正品和技术支持。

在接口与关键参数方面,该衰减器采用表面贴装设计,便于自动化生产。其固定的28dB衰减值在500MHz至6GHz的宽频带内保持稳定,输入/输出阻抗均为标准的50欧姆,便于集成。器件具有高功率处理能力,能够承受较高的输入功率水平,同时保持良好的温度稳定性,确保在各种环境条件下性能一致。优异的回波损耗指标意味着它对前后级电路的影响很小,有助于提升整个射频链路的性能。

基于其宽频带、高精度和稳定性的特点,HMC973ALP3ETR非常适合应用于需要精确控制信号电平的各类射频系统中。典型应用场景包括蜂窝通信基础设施(如4G/LTE、5G基站)、微波点对点无线电、卫星通信、测试与测量设备以及军用电子系统。在这些应用中,它常被用于信号路径的增益控制、改善系统线性度、实现阻抗匹配以及保护对功率敏感的后级器件,是构建高性能、高可靠性射频前端的理想选择之一。

  • 型号:HMC973ALP3ETR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:
  • 类目:射频和无线 > 衰减器
  • 描述:RF ATTENUATOR 28DB 50OHM 16VFQFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 衰减值:28dB
  • 频率范围:500 MHz ~ 6 GHz
  • 功率 (W):-
  • 阻抗:50 Ohms
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘
  • HMC973ALP3ETR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC973ALP3ETR是ADI(Analog Devices)公司生产的一款固定值射频衰减器,采用16VFQFN紧凑型封装。该器件在500MHz至6GHz的宽频率范围内提供精确的28dB衰减,其核心优势在于宽频带工作能力与稳定的衰减性能。

其设计阻抗为50欧姆,能够无缝集成到标准射频系统中,确保良好的阻抗匹配和低回波损耗。作为一款有源系列中的无源器件,它无需外部供电,简化了电路设计,同时卷带(TR)包装形式适用于高效率的自动化表面贴装生产流程,非常适合大规模制造。

AD8244:单电源、低功耗、精密FET输入四通道缓冲器
ADAS1134:128通道、24位电流数字ADC
ADG841:0.28 Ω、CMOS、1.65 V至3.6 V、单通道单刀单掷开关,采用SC70封装,输入为逻辑1时闭合
LT8391:具扩展频谱的 60V、同步、四开关、降压-升压型 LED 控制器
LT1360:50MHz、800V/μs 运算放大器
ADA4857-2:超低失真、低功耗、低噪声、高速运算放大器
LTC3577-3:高集成度便携式产品 PMIC
ADL5331:1 MHz 至1.2 GHz VGA,30 dB增益控制范围
LT3694:具双通道 LDO 的 36V、2.6A 单片式降压型稳压器
LT1126:双通道去补偿低噪声、高速精准型运算放大器
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