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HMC941ALP4ETR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 衰减器,封装:
  • 技术参数:RF ATTENUATOR 15.5DB 24VFQFN
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HMC941ALP4ETR 技术参数详情:

HMC941ALP4ETR是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的高性能、宽带固定值射频衰减器,采用紧凑的24引脚VFQFN封装,专为满足现代微波与射频系统对信号精确调控的严苛要求而开发。其核心架构基于ADI成熟的GaAs(砷化镓)工艺技术,内部集成了精密的薄膜电阻网络与优化的分布式匹配结构,确保了在极宽频率范围内具备卓越的幅度平坦度与相位线性度。这种架构设计不仅提供了精确且稳定的15.5dB衰减量,还最大限度地降低了插入损耗,并保证了优异的输入/输出回波损耗,从而简化了系统级联设计中的匹配难题。

该器件的功能特点突出体现在其超宽的工作频率范围(100MHz至30GHz),能够无缝覆盖从甚高频(VHF)到毫米波前端的广阔频谱,适用于多种复杂的多频段系统。其衰减值在指定频带内具有高度的一致性和温度稳定性,这对于维持系统增益预算和动态范围至关重要。作为一款固定衰减器,它提供了“即插即用”的便利性,无需外部偏置或控制电路,简化了PCB布局并提升了系统可靠性。对于需要稳定、可重复衰减量的应用点,选择可靠的ADI芯片代理是确保获得正品器件与技术支持的重要途径。

在接口与关键参数方面,HMC941ALP4ETR采用表面贴装形式,兼容标准的卷带(TR)和剪切带(CT)包装,适合高吞吐量的自动化贴装生产线。其24VFQFN封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积,是空间受限应用的理想选择。虽然其标准阻抗通常为50欧姆以适应主流射频系统,但具体应用时仍需参考官方数据手册以获取精确的S参数、功率处理能力及温度系数等详细指标。器件的有源状态保证了其长期供货稳定性和性能一致性。

在应用场景上,这款衰减器是测试测量设备、点对点无线通信、卫星通信、军用电子战(EW)系统以及5G基础设施中不可或缺的元件。它常用于信号链中的电平设置、改善系统匹配以降低电压驻波比(VSWR)、隔离级间影响以及作为功率检测或混频器前端的标准参考负载。其宽带特性使其在宽带接收机、频率合成器以及需要精确信号衰减的任何高频率、高性能射频模块中都能发挥关键作用。

  • 型号:HMC941ALP4ETR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:
  • 类目:射频和无线 > 衰减器
  • 描述:RF ATTENUATOR 15.5DB 24VFQFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 衰减值:15.5dB
  • 频率范围:100 MHz ~ 30 GHz
  • 功率 (W):-
  • 阻抗:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:24-VFQFN 焊盘
  • HMC941ALP4ETR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC941ALP4ETR是ADI公司推出的一款固定值射频衰减器,提供精确的15.5dB衰减。其核心优势在于覆盖了100MHz至30GHz的极宽工作频率范围,能够满足从传统无线通信到前沿毫米波系统的广泛需求。

该器件采用24引脚VFQFN表面贴装封装,支持卷带和剪切带包装,便于自动化生产。作为一款无需外部偏置的有源器件,它提供了高稳定性和一致性的衰减性能,是简化射频信号链设计、实现精确电平控制与系统阻抗匹配的理想选择。

LTC7813:低 IQ、60V、同步升压 + 降压型控制器
LTC4442:高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
AD9520-0:12 LVPECL/24 CMOS输出时钟发生器,集成2.8 GHz VCO
LTC1595:串行 16 位乘法 DAC
AD9480:8位、250 MSPS、3.3 V ADC
LTC2260-12:12 位、105Msps、超低功率 1.8V ADC
ADG1604:1 Ω典型导通电阻、±5 V/+12 V/+5 V/+3.3 V、4:1多路复用器
ADM3488E:3.3 V、±15 kV ESD保护、RS-485/RS-422收发器(全双工、250kbps)
AD5248:256位、双通道、I2C兼容型数字电阻
HMC753:低噪声放大器,采用SMT封装,1 - 11 GHz
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