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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > RF 解调器,封装:32-CLCC(5x5)
  • 技术参数:I/Q DOWN-CONVERTER 9-12 GHZ
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HMC908ALC5TR-R5 技术参数详情:

HMC908ALC5TR-R5是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的高性能单片微波集成电路(MMIC)I/Q下变频器。该器件采用先进的GaAs(砷化镓)pHEMT工艺制造,集成了射频(RF)巴伦、本振(LO)放大器、I/Q混频器以及中频(IF)放大器等核心功能模块于一个紧凑的封装内。其架构设计旨在实现从X波段到Ku波段的高精度、高线性度信号下变频,内部集成的正交混频器能够直接输出同相(I)和正交(Q)两路基带信号,为后续的数字信号处理提供了极大的便利。

该芯片在9 GHz至12 GHz的射频输入范围内表现出色,其本振频率范围覆盖8.5 GHz至15.5 GHz,提供了灵活的频率规划能力。高达11 dB的转换增益有效降低了系统对后续中频放大链路的要求,而仅为2 dB的典型噪声系数则确保了接收链路具有优异的灵敏度。在动态范围方面,其-8 dBm的输入1 dB压缩点(P1dB)提供了良好的线性度,能够处理一定强度的输入信号而不过早产生失真。这些特性共同构成了其在复杂电磁环境下稳定工作的基础。

在接口与电气参数方面,HMC908ALC5TR-R5采用单电源+5 V供电,典型工作电流为100 mA,功耗控制合理。其采用表面贴装型的32引脚陶瓷LCC封装,具有良好的热性能和可靠性,适合自动化贴装生产。对于需要稳定供应链和技术支持的客户,可以通过专业的ADI芯片代理获取该器件及相关设计资源。芯片的输入输出端口均内部匹配至50欧姆,简化了外围电路设计,工程师只需关注必要的滤波和偏置电路即可快速完成射频前端搭建。

凭借其卓越的射频性能,该器件主要面向对信号完整性要求极高的专业应用场景。它是相控阵雷达系统、卫星通信终端、电子战(EW)接收机以及高端微波测试仪器中接收链路的理想选择。在这些系统中,其低噪声和高线性度特性对于探测弱信号、抑制干扰以及保持频谱纯度至关重要。此外,其集成的I/Q输出能力也使其非常适合用于软件定义无线电(SDR)和现代数字调制解调方案,为下一代通信和传感系统提供了关键的射频硬件支持。

  • 型号:HMC908ALC5TR-R5
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:32-CLCC(5x5)
  • 类目:射频和无线 > RF 解调器
  • 描述:I/Q DOWN-CONVERTER 9-12 GHZ
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 功能:降频器
  • LO 频率:8.5GHz ~ 15.5GHz
  • 射频频率:9GHz ~ 12GHz
  • P1dB:-8dBm
  • 增益:11dB
  • 噪声系数:2dB
  • 电流 - 供电:100 mA
  • 电压 - 供电:5V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:32-TFCQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:32-CLCC(5x5)
  • HMC908ALC5TR-R5优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC908ALC5TR-R5是ADI公司推出的一款有源I/Q下变频器,属于其高性能RF解调器系列。该芯片专为9 GHz至12 GHz(X波段至Ku波段)的射频信号降频转换而设计,集成了完整的混频与放大功能。

其核心优势在于优异的射频性能组合:提供11 dB的转换增益,同时保持仅2 dB的低噪声系数,确保了接收链路的高灵敏度与信噪比。配合-8 dBm的输入P1dB,它在动态范围与线性度之间取得了良好平衡。器件采用+5V单电源供电,工作电流100mA,并采用32引脚CLCC表面贴装封装,便于集成。

这些特性使其成为要求严苛的微波接收系统的关键组件,能够直接输出I/Q两路信号,为雷达、卫星通信和测试测量等应用提供高效、可靠的射频下变频解决方案。

LT3061:具有源输出放电功能的 45V VIN、微功率、低噪声、100mA LDO
AD8513:低噪声、低输入偏置电流、宽带宽JFET、精密四通道运算放大器
LTC4274A:单通道 PoE / PoE+ / LTPoE++ PSE 控制器
ADUM241D:鲁棒的5kV RMS四通道数字隔离器,输入禁用(3/1通道方向性)
AD9559:双路PLL四通道输入多服务线路卡自适应时钟转换器
ADM4850:5 V、负载、限摆率、RS-485/RS-422收发器(半双工、115 KBPS)
LT1431:可编程基准
ADUM4470:集成四通道隔离器的隔离式开关稳压器(4/0通道方向性)
ADG1223:低电容、低电荷注入、±15 V/+12 V iCMOS双通道单刀单掷开关
ADG786:CMOS、2.5 Ω、低压、四通道单刀双掷开关
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