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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频放大器,封装:模具
  • 技术参数:IC RF AMP GP 200MHZ-22GHZ DIE
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HMC907-SX 技术参数详情:

HMC907-SX是一款由Analog Devices(亚德诺半导体)设计生产的宽带通用射频放大器芯片,采用裸片(Die)形式封装。该器件基于成熟的GaAs pHEMT工艺技术构建,其核心架构旨在实现从200MHz到22GHz超宽频带内稳定、高效的信号放大。内部电路经过精密优化,集成了输入/输出匹配网络和偏置电路,确保了在整个工作频段内具有良好的阻抗匹配和线性度,为用户在高频应用中的系统集成提供了坚实的基础。

该芯片的功能特点十分突出,其超宽的工作带宽覆盖了从VHF频段直至Ku波段,使其成为多频段或宽带系统的理想选择。在提供13.5dB典型增益的同时,噪声系数低至2.5dB,这对于接收链路前端放大、降低系统整体噪声至关重要。其输出1dB压缩点(P1dB)高达27dBm,结合10V单电源供电和350mA的典型工作电流,展现了出色的功率处理能力和效率,能够驱动后续混频器等有源器件,或在发射链路中作为驱动级使用。

在接口与关键参数方面,HMC907-SX作为裸片,需要通过金线键合等方式与外部电路连接,这为高频性能优化和紧凑型模块设计提供了灵活性。其直流供电接口简单,仅需单路10V电压。除了上述核心的增益、噪声和功率参数外,该器件在宽频带内具有良好的增益平坦度和输入/输出回波损耗,确保了信号传输的完整性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过ADI中国代理获取相关的产品信息与库存支持。

得益于其卓越的宽带性能与高线性度,HMC907-SX非常适合应用于测试与测量设备、宽带通信系统、微波点对点无线电、卫星通信终端以及电子战(EW)系统等领域。无论是作为宽带接收机的前置低噪声放大器(LNA),还是作为驱动放大器(Driver Amplifier)用于信号链的中级放大,它都能提供稳定可靠的性能。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有系统和备件需求中,它仍然是一款备受青睐的高性能射频解决方案。

  • 制造商产品型号:HMC907-SX
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC RF AMP GP 200MHZ-22GHZ DIE
  • 类别:RF-IF 和 RFID 射频放大器
  • 零件状态:停产
  • 频率:200MHz ~ 22GHz
  • P1dB:27dBm
  • 增益:13.5dB
  • 噪声系数:2.5dB
  • 射频类型:通用
  • 电压-供电:10V
  • 电流-供电:350mA
  • 测试频率:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:模具
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HMC907-SX是ADI(Analog Devices)推出的一款宽带通用射频放大器裸片。其核心优势在于覆盖200MHz至22GHz的极宽工作频带,同时集成了13.5dB的增益、2.5dB的低噪声系数以及27dBm的高输出1dB压缩点(P1dB),在宽频范围内实现了优异的噪声性能与功率处理能力的平衡。

该器件采用10V单电源供电,典型工作电流为350mA,设计简洁高效。作为一款表面贴装型的裸片(Die),它为高频模块和混合集成电路的紧凑型设计提供了高度的集成灵活性。这些特性使其成为宽带通信、测试测量及国防电子系统中射频前端或驱动级放大的关键组件。

HMC907APM5E:GaAs pHEMT MMIC功率放大器0.2 - 22 GHz
AD9833:低功耗、12.65 mW、2.3 V至+5.5 V可编程波形发生器
AD9284:8位、250 MSPS、1.8 V双通道模数转换器(ADC)
LTC691:微处理器监控电路
HMC382:1.7 - 2.2 GHz低噪声放大器SMT
HMC-C007:InGaP HBT 8分频模块,0.5 - 18 GHz
LTM8053:40VIN、3.5A/6A 降压型超低噪声开关稳压器 μModule 稳压器
LTC1098:微功率采样、8 位串行 I/O A/D 转换器
ADM2565E:3 kV RMS信号和电源隔离RS-485收发器,提供±15 kV IEC ESD保护
HMC-ALH140:低噪声放大器芯片,24 - 40 GHz
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