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HMC877LC3 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块,封装:16-CSMT(3x3)
  • 技术参数:8-23GHZ PHASE SHIFT TIME DELAY
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HMC877LC3 技术参数详情:

作为一款高性能的射频集成电路,HMC877LC3采用了先进的GaAs(砷化镓)MMIC(单片微波集成电路)工艺技术,其核心架构集成了精密的矢量调制器与高速数字控制逻辑。该设计能够实现对射频信号相位和幅度的精确、独立控制,从而在宽频带范围内产生高度线性的相移与时间延迟。芯片内部集成了完整的串行控制接口,用户可以通过简单的数字指令来配置复杂的相移状态,而无需外部复杂的模拟控制电路,这极大地简化了系统设计并提升了可靠性。

该器件在8GHz至23GHz的超宽频带内工作,提供了卓越的相位控制精度与极低的插入损耗。其关键特性包括极低的RMS相位误差和幅度误差,这确保了在相控阵雷达或波束成形系统中,每个通道的信号都能保持高度的一致性,从而优化了系统的整体方向性和信噪比。此外,芯片具备快速的切换速度,能够支持动态、实时的波束扫描与捷变,这对于现代电子对抗和高速通信系统至关重要。其优异的线性度保证了在大信号输入条件下,依然能维持信号的保真度,避免产生有害的互调失真。

在接口与参数方面,HMC877LC3采用紧凑的16引脚VFCQFN(超薄型四方扁平无引线)表面贴装封装,非常适合高密度的PCB布局。它支持宽泛的电源电压范围,并具有较低的功耗,符合现代设备对能效的严格要求。其控制接口兼容标准的串行外设接口(SPI),便于与主流FPGA或微控制器无缝连接。用户可以从ADI授权代理处获取完整的数据手册、评估板以及详细的应用支持,以确保设计的一次成功。

得益于其卓越的宽频带性能和精确的控制能力,该芯片主要面向对射频前端有苛刻要求的尖端应用领域。它是相控阵雷达系统中实现电子波束扫描与赋形的理想核心元件,能够显著提升雷达的探测精度与抗干扰能力。在卫星通信和点对点微波回程链路中,该器件可用于实现动态的波束跟踪与信号校准,优化链路预算。此外,在先进的电子战(EW)系统和测试测量仪器中,它也被用于生成复杂的调制信号或构建灵活的信道仿真环境。

  • 型号:HMC877LC3
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:16-CSMT(3x3)
  • 类目:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块
  • 描述:8-23GHZ PHASE SHIFT TIME DELAY
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 功能:相移
  • 频率:8GHz ~ 23GHz
  • 射频类型:通用
  • 辅助属性:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-VFCQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:16-CSMT(3x3)
  • HMC877LC3优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC877LC3是亚德诺半导体(ADI)推出的一款高性能、宽频带相移/时间延迟MMIC。该器件工作频率覆盖8GHz至23GHz,采用表面贴装型的16-VFCQFN封装,专为需要精确射频相位控制的先进系统而设计。

其核心价值在于能够在整个频段内提供高度线性和精确的相移功能,同时保持极低的插入损耗与相位误差。这使其成为相控阵天线、波束成形网络以及卫星通信系统中实现动态波束控制与校准的关键组件。通过集成的数字控制接口,它简化了系统集成,提升了设计的灵活性与可靠性。

LT1260:具停机功能的低成本、三通道 130MHz 电流反馈放大器
AD8066:高性能、145 MHz FastFET™运算放大器
AD5415:双通道、12位、高带宽、乘法DAC,内置四象限电阻和串行接口
AD4020:20位、1.8 MSPS/1 MSPS/500 kSPS、轻松驱动、差分SAR ADC
HMC445:x16有源倍频器,采用SMT封装,9.9 to 11.2 GHz Fout
AD8608:低噪声、CMOS、轨到轨输入/输出精密四通道运算放大器
LTC1250:非常低噪声零漂移桥式放大器
HMC260A-DIE:10 GHz to 26 GHz, GaAs MMIC Fundamental Mixer
AD7761:8通道、16位同步采样ADC,具备功耗调节功能、110.8 kHz带宽
AD5560:1.2A可编程器件电源,集成16位电平设置DAC
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