HMC861LP3ETR是一款由Analog Devices（ADI）设计生产的宽带射频功率分配器/合成器芯片。该器件采用先进的单片微波集成电路（MMIC）工艺，内部集成了高性能的传输线变压器和匹配网络，构成了一个对称的、高隔离度的两路功分器核心。其架构设计旨在实现从100MHz到13GHz的超宽频带内，将一路输入信号等幅同相地分配到两个输出端口，或者将两路输入信号合成一路输出，同时保持优异的幅度与相位平衡度。

该芯片的功能特点十分突出，其工作频率覆盖了从甚高频（VHF）到Ku波段的广阔范围，使其成为多频段、多模式射频系统的理想选择。在13GHz的高频端仍能保持稳定的性能，展现了出色的高频处理能力。作为一款无源器件，它不需要外部偏置，简化了系统设计。其紧凑的16引脚QFN封装尺寸仅为3.00mm x 3.00mm，非常适合高密度PCB布局，满足现代通信设备小型化的需求。虽然官方状态标注为停产，但在许多现有系统和备件供应链中，通过可靠的ADI芯片代理渠道，工程师依然可以获得该器件以支持产品的持续生产与维护。

在接口与参数方面，HMC861LP3ETR采用表面贴装封装，便于自动化生产。其关键射频性能，如端口间的隔离度、插入损耗以及回波损耗，在整个指定频带内都经过优化，确保了信号路径的纯净度和系统效率。宽频带特性意味着单个器件可以替代多个窄带功分器，从而减少物料清单（BOM）种类，降低库存成本和电路板空间占用。其坚固的MMIC结构也提供了良好的温度稳定性和可靠性。

得益于其超宽带和微型化特性，HMC861LP3ETR广泛应用于测试测量设备（如矢量网络分析仪、频谱分析仪的信号路径切换）、点对点及点对多点微波通信、卫星通信终端、军用电子战（EW）和雷达系统等场景。在这些应用中，它常用于天线阵列的馈电网络、功率放大器的输入/输出合成，以及需要信号分配或合成的射频前端模块，为系统提供稳定、一致的信号通路性能。

• 型号:HMC861LP3ETR
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:
• 类目:射频和无线 > RF 功率分配器/分线器
• 描述:RF POWER DVDR 100MHZ-13GHZ 16QFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 插损:-
• 频率:100 MHz ~ 13 GHz
• 规格:-
• 大小 / 尺寸:0.118 长 x 0.118 宽（3.00mm x 3.00mm）
• 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘
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HMC861LP3ETR是ADI公司推出的一款超宽带射频功率分配器/合成器MMIC芯片。其核心卖点在于覆盖了100MHz至13GHz的极宽工作频带，能够在一个器件内处理从VHF到Ku波段的射频信号，显著简化了多频段系统的设计复杂度。

该器件采用微型化的3.00mm x 3.00mm 16引脚QFN封装，为高密度电路板布局提供了极大便利。作为一款无源分配器/合成器，它无需外部偏置即可工作，主要功能是实现一路到两路的等幅同相功率分配或反向合成，并在此宽频范围内保持优异的幅度平衡与端口隔离性能，适用于对信号完整性要求苛刻的各类射频前端与测试系统。