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HMC849ALP4CETR 图片
  • 制造厂商:AD
  • 类别封装:射频开关,封装:16-VQFN
  • 技术参数:IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 16QFN
  • (丰富的AD公司产品,AD芯片采购平台)
  • (提供当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格)
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HMC849ALP4CETR 技术参数详情:

还在寻找一颗能兼顾超低损耗与超高隔离的射频开关吗?HMC849ALP4CETR正是您期待的答案。这颗SPDT(单刀双掷)射频开关能在0Hz到6GHz的广阔频谱内,为您提供清晰、高效的信号路径选择。它凭借仅1dB的插入损耗,最大程度保留信号强度;同时以高达56dB的隔离度,确保通道间串扰微乎其微,让您的系统信号纯净度大幅提升。

它不仅仅是一个开关,更是您提升系统线性度和动态范围的利器。高达52dBm的输入三阶交调截点(IIP3)和33dBm的输出1dB压缩点(P1dB),让它在处理大功率信号时依然保持卓越的线性性能,有效抑制杂散和互调失真。无论是用于基站、测试设备还是通信系统,HMC849ALP4CETR都能让您轻松构建更稳定、更高效的射频前端,简化设计挑战,加速产品上市。

  • 制造商产品型号:HMC849ALP4CETR
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 16QFN
  • 系列:射频开关
  • 零件状态:有源
  • 射频类型:通用
  • 拓扑:-
  • 电路:SPDT
  • 频率范围:0Hz ~ 6GHz
  • 隔离:56dB
  • 插损:1dB
  • 测试频率:4GHz
  • P1dB:33dBm
  • IIP3:52dBm
  • 特性:-
  • 阻抗:50 欧姆
  • 电压-供电:3V ~ 5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 封装:16-VQFN
  • HMC849ALP4CETR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
LTC2250:10 位、105Msps、低噪声 3V ADC
HMC657-DIE:固定、15 dB无源衰减器芯片,DC - 50 GHz
LT1029:5V 带隙基准
ADUCRF101:集成ARM Cortex M3和RF收发器的精密模拟微控制器
LTC3541-1:高效率降压 + VLDO 稳压器
LTM4676A:具数字电源系统管理功能的双通道 13A 或单通道 26A μModule 稳压器
LTC2376-18:具 102dB SNR 的 18 位、250ksps、低功率 SAR ADC
LT1463:四通道、微功率、260μW C-Load 微微安培偏置电流 JFET 输入运算放大器
AD5291:单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器
LTC2411:采用 MSOP 封装并具差分输入和基准的 24 位、无延迟增量累加 ΔΣ ADC
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