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HMC8364LP6GETR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块,封装:40-LFCSP(6x6)
  • 技术参数:CUSTOM DRT QUAD BAND VCO 18.2- 2
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HMC8364LP6GETR 技术参数详情:

HMC8364LP6GETR是一款由ADI(Analog Devices)设计生产的高性能、多频段压控振荡器(VCO)芯片。该器件采用先进的半导体工艺和紧凑的40-VFQFN CSP封装,集成了四个独立的VCO核心,能够在18.1GHz至26.6GHz的超宽频带内实现精确的频率合成。其内部架构集成了谐振电路、变容二极管和缓冲放大器,通过精密的片上集成技术,有效优化了相位噪声性能和输出功率的平坦度,为高频射频系统提供了稳定可靠的本振信号源。

该芯片的核心优势在于其四频段覆盖能力卓越的频谱纯度。通过内部逻辑控制,用户可以在四个预定义的子频段间进行切换,从而在整个18.1GHz至26.6GHz范围内实现快速、低相位噪声的频率锁定。其输出信号具有优异的相位噪声性能,这对于高阶调制通信系统和雷达应用中的误码率及目标分辨率至关重要。同时,芯片集成了输出缓冲器,提供了良好的隔离度和稳定的输出功率,减少了对后续放大电路的依赖,简化了系统设计。

在接口与参数方面,HMC8364LP6GETR采用表面贴装形式,便于集成到高密度PCB设计中。其工作电压典型值为+5V,通过SPI兼容的数字接口进行频段选择和精细调谐电压控制,实现了灵活的数字编程能力。稳定的性能表现使其成为从产品原型开发到大规模量产阶段的理想选择,相关技术支持和库存保障可通过专业的ADI一级代理商获取。

基于其宽频带、低相位噪声和快速切换的特性,这款VCO非常适合应用于点对点微波通信、卫星通信终端、军用雷达系统以及先进的测试测量设备。在毫米波频段日益重要的5G基础设施、电子战和成像雷达等领域,它能够作为核心频率生成单元,为系统提供高精度、高稳定性的本地振荡信号,助力实现复杂的调制方案和灵敏的信号探测功能。

  • 型号:HMC8364LP6GETR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:40-LFCSP(6x6)
  • 类目:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块
  • 描述:CUSTOM DRT QUAD BAND VCO 18.2- 2
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 功能:VCO
  • 频率:18.1GHz ~ 26.6GHz
  • 射频类型:通用
  • 辅助属性:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:40-VFQFN 焊盘,CSP
  • 供应商器件封装:40-LFCSP(6x6)
  • HMC8364LP6GETR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC8364LP6GETR是ADI公司推出的一款四频段、宽频带压控振荡器(VCO),属于其高性能RF IC和模块产品线。该器件采用卷带(TR)包装的表面贴装型40-VFQFN CSP封装,工作状态为有源,专为18.1GHz至26.6GHz的通用射频应用设计。

其核心卖点在于覆盖了18.1GHz至26.6GHz的极宽频率范围,并通过内部集成四个VCO核心实现了多频段操作。这种架构提供了优异的频率灵活性,同时确保了在整个频段内低相位噪声和高输出功率稳定性的关键性能,适用于对频谱纯度和频率捷变性要求严苛的先进射频系统。

ADH365S:空间SMT MMIC 4分频,DC至13 GHz
LTM4658:低VIN、高效率、10 A降压型DC/DC μModule稳压器
ADTL084:低成本JFET输入运算放大器
ADP5062:线性锂离子电池充电器,提供电源路径和USB兼容性,采用LFCSP封装
LTC4249:集成电流监控器的65V双通道电子断路器
ADG1211:低电容、低电荷注入、±15 V/+12 V iCMOS、四通道单刀单掷开关
AD7805:+3.3 V至+5 V、四通道/八通道10位DAC
AD7679:18位、570 kSPS PulSAR ADC
ADATE302-02:500 MHz双通道集成DCL,提供差分驱动/接收、电平设置DAC和单引脚PMU功能
LT3010
LT3010-5
:50mA、3V 至 80V 低压差微功率稳压器
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