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HMC826LP6CETR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟发生器,PLL,频率合成器,封装:40-QFN(6x6)
  • 技术参数:IC PLL W/VCO FRACTIONAL-N 40SMD
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HMC826LP6CETR 技术参数详情:

作为一款高性能的分数N锁相环(PLL)频率合成器,HMC826LP6CETR集成了压控振荡器(VCO),构成了一个完整的片上频率生成解决方案。其核心架构基于一个低噪声的分数N分频器,结合了高精度的Σ-Δ调制器,能够实现极精细的频率步进和卓越的频谱纯度。该设计有效抑制了传统整数N分频器固有的相位噪声和杂散问题,使其在需要高精度和低抖动的应用场景中表现出色。

该器件具备高达1.1GHz的宽频输出范围,覆盖了从射频到高速数字时钟的多种需求。其供电电压范围宽泛,为3V至5.2V,提供了良好的设计灵活性,以适应不同的系统电源环境。在接口方面,它支持单端时钟输入,并提供差分时钟输出,这种差分输出结构能有效抑制共模噪声,提升信号完整性,尤其适用于对时序抖动要求严苛的高速通信和数据采集系统。其工作温度范围为工业级的-40°C至85°C,确保了在恶劣环境下的可靠运行。

在关键性能参数上,HMC826LP6CETR展现了优异的综合性能。其集成的VCO减少了外部元件数量,简化了电路板布局,同时降低了系统成本和设计复杂度。作为表面贴装型器件,采用40引脚VFQFN封装,非常适合高密度PCB设计。对于需要稳定、高质量时钟源的设计工程师而言,通过专业的ADI代理商获取此芯片,是确保供应链可靠性和获得技术支持的重要途径。

该芯片的应用场景广泛,主要面向对频率合成质量和灵活性有高要求的领域。它是无线通信基础设施(如基站收发器)、测试与测量仪器、高速数据转换器时钟生成以及军事通信系统的理想选择。其高集成度和优异的性能使其能够为这些系统提供稳定、纯净且可编程的本地振荡器(LO)或系统参考时钟,是构建高性能射频与混合信号系统的关键组件。

  • 型号:HMC826LP6CETR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:40-QFN(6x6)
  • 类目:集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟发生器,PLL,频率合成器
  • 描述:IC PLL W/VCO FRACTIONAL-N 40SMD
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 类型:-
  • PLL:是
  • 输入:时钟
  • 输出:时钟
  • 电路数:1
  • 比率 - 输入:1:1
  • 差分 - 输入:无/是
  • 频率 - 最大值:1.1GHz
  • 分频器/倍频器:是/无
  • 电压 - 供电:3V ~ 5.2V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:40-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:40-QFN(6x6)
  • HMC826LP6CETR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC826LP6CETR是ADI(Analog Devices)公司推出的一款集成VCO的分数N锁相环频率合成器芯片。该器件采用40-VFQFN表面贴装封装,提供完整的片上时钟生成方案,最大输出频率可达1.1GHz,并支持3V至5.2V的宽电压供电。

其核心优势在于集成了压控振荡器,并采用分数N分频架构,能够实现高分辨率、低相位噪声和低杂散的频率合成。器件支持时钟输入,并提供差分时钟输出,有效提升抗干扰能力。其工业级工作温度范围(-40°C至85°C)确保了在各种环境下的稳定性和可靠性,适用于对时钟质量要求苛刻的通信与测量系统。

LTC4238:高压大电流热插拔控制器
ADF4360-6:集成式整数N分频频率合成器和VCO,输出频率为1050至1250 MHz
HMC490-DIE:低噪声高IP3放大器芯片,12 - 17 GHz
ADM4854:全双工RS-485/RS-22收发器,提供115 kbps 数据速率
AD7988-5:16位、500ksps、超低功耗16位SAR ADC
ADTL084:低成本JFET输入运算放大器
LTC5576:3GHz 至 8GHz 高线性度有源上变频混频器
SSM3582:2x31.76 W、数字输入、无滤波器D类立体声音频放大器
AD5066:全精度、四通道、16位、无缓冲电压输出、2.7 V至5.5 V nanoDAC,采用SPI接口
HMC649A:HMC649A/HMC649LP66位数字移相器芯片和采用SMT封装,3 GHz至6 GHz
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