
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频和无线 > RF 调制器,封装:32-QFN(5x5)
- 技术参数:RF MODULATOR 50MHZ-2.8GHZ 32QFN
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HMC795LP5ETR是ADI(Analog Devices)公司推出的一款高性能射频调制器芯片,采用紧凑的32引脚QFN封装,专为要求严苛的无线通信系统设计。该器件内部集成了高性能的混频器核心、本振(LO)驱动电路以及必要的偏置与控制逻辑,构成了一个完整的直接上变频或中频调制解决方案。其架构优化了信号路径,旨在实现从基带或中频到射频的高线性度、低噪声频率转换,为系统工程师提供了一个高度集成且性能卓越的射频前端模块。
该芯片的核心优势在于其卓越的射频性能指标。它支持50MHz至2.8GHz的宽射频输出频率范围,并搭配100MHz至5.6GHz的宽本振输入频率,提供了极大的设计灵活性,能够覆盖从VHF到S波段的多种无线应用频段。其高达14dBm的输出1dB压缩点(P1dB)确保了出色的线性度,能够处理高峰均功率比(PAPR)的调制信号,如OFDM,同时将失真降至最低。此外,其极低的本底噪声,典型值为-158dBm/Hz,有效提升了发射链路的信噪比,对于维持高灵敏度的接收机性能至关重要。这些特性共同保证了在复杂调制方案下仍能实现纯净的射频信号输出。
在接口与工作参数方面,HMC795LP5ETR设计简洁高效。它采用单电源供电,电压范围在4.5V至5.5V之间,典型供电电流为127mA,功耗控制得当。芯片提供了标准的差分或单端I/Q基带输入接口,方便与数字模拟转换器(DAC)或基带芯片直接连接。其本振输入可采用单端或差分形式,并内置了LO缓冲放大器,降低了对外部驱动信号功率的要求,简化了外围电路设计。对于需要稳定供应链和技术支持的客户,可以通过专业的ADI芯片代理获取该产品及相关设计资源。
凭借其宽频带、高线性度和低噪声的突出特点,HMC795LP5ETR非常适合应用于对射频性能有高标准要求的领域。它是点对点及点对多点微波通信链路、卫星通信上行链路、军用战术电台以及测试测量设备(如矢量信号发生器)中发射机单元的优选方案。此外,在软件定义无线电(SDR)平台和蜂窝通信基础设施(如小型基站)的研发中,该调制器也能提供可靠的射频信号生成能力,帮助工程师快速实现高性能的发射机设计。
- 型号:HMC795LP5ETR
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:32-QFN(5x5)
- 类目:射频和无线 > RF 调制器
- 描述:RF MODULATOR 50MHZ-2.8GHZ 32QFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 功能:调制器
- LO 频率:100MHz ~ 5.6GHz
- 射频频率:50MHz ~ 2.8GHz
- P1dB:14dBm
- 本底噪声:-158dBm/Hz
- 输出功率:-
- 电流 - 供电:127 mA
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 测试频率:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:32-VFQFN 焊盘
- 供应商器件封装:32-QFN(5x5)
- HMC795LP5ETR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
HMC795LP5ETR是一款覆盖50MHz至2.8GHz射频频率范围的高性能射频调制器,隶属于ADI的RF调制器系列。该有源器件集成了调制器功能,其本振(LO)输入支持100MHz至5.6GHz的宽频带,为多频段应用提供了核心的变频能力。
该芯片的核心技术优势体现在其高线性度与低噪声特性上。其输出1dB压缩点(P1dB)达到14dBm,确保了处理高动态范围调制信号时的优异线性性能。同时,低至-158dBm/Hz的本底噪声为发射链路提供了卓越的信噪比基础。器件采用4.5V至5.5V单电源供电,典型工作电流为127mA,在32QFN封装内实现了性能与功耗的平衡,是构建高效、紧凑型射频发射前端的理想选择。



















