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HMC774 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:模具
  • 技术参数:IC MMIC MIXER DBL-BAL DIE
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HMC774 技术参数详情:

HMC774是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的高性能MMIC(单片微波集成电路)双平衡混频器芯片。该器件采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造,其核心架构集成了肖特基二极管混频核心与片上巴伦(Balun)结构,能够在极宽的射频范围内实现卓越的线性度和端口隔离度。这种单片集成设计不仅确保了信号路径的一致性,还显著减少了传统分立方案所需的复杂外部匹配电路,为系统设计提供了高度集成的解决方案。

作为一款覆盖7GHz至43GHz超宽频段的VSAT(甚小孔径终端)射频混频器,HMC774支持上变频和下变频操作,适用于复杂的微波链路。其双平衡设计有效抑制了本振(LO)和射频(RF)信号的偶次谐波,并提供了出色的LO-RF和LO-IF隔离,这对于减少系统内不必要的干扰和杂散信号至关重要。芯片以裸片(Die)形式提供,采用表面贴装型封装,便于通过引线键合等方式集成到多层微波电路板或模块中,满足高密度、高性能的微波组装需求。

在接口与关键参数方面,该混频器工作频率横跨Ku波段、K波段乃至部分Ka波段,展现了其面向未来高频应用的适应性。虽然其具体的转换增益、噪声系数和供电参数未在基础规格中明确标定,这通常意味着设计者需要参考详细的应用笔记和评估板数据来优化外围偏置与匹配网络,以实现最佳性能。对于寻求可靠供应链与技术支持的工程师,可以通过授权的ADI代理商获取详细的技术文档、样品支持以及应用咨询。

在应用场景上,HMC774主要瞄准点对点无线通信、卫星通信终端、微波回程以及测试测量设备等高端领域。其宽频带特性使其能够灵活适配多种通信标准与频段规划,特别是在需要高频、宽带信号处理的VSAT系统和军用电子系统中,能够作为核心变频单元,实现高效、稳定的频谱搬移功能。尽管其零件状态标注为停产,但在某些现有系统维护或特定项目设计中,它依然是一个值得参考的高性能器件选型。

  • 型号:HMC774
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:模具
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MMIC MIXER DBL-BAL DIE
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:VSAT
  • 频率:7GHz ~ 43GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:-
  • 辅助属性:升/降频器
  • 电流 - 供电:-
  • 电压 - 供电:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:模具
  • 供应商器件封装:模具
  • HMC774优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC774是ADI公司推出的一款MMIC双平衡混频器裸片,隶属于其射频混频器产品系列。该器件专为7GHz至43GHz的超宽VSAT频段设计,支持上变频和下变频功能,采用先进的GaAs工艺实现高集成度。

其核心优势在于双平衡架构带来的优异端口隔离度和谐波抑制能力,适用于高频微波系统。芯片以模具形式提供,便于集成到表面贴装模块中,主要面向卫星通信、点对点无线电等需要高性能变频解决方案的领域。

AD7771:8通道24位同步采样ADC
ADA4927-2:超低失真电流反馈型ADC驱动器
LTM2987:16 通道 μModule PMBus 电源系统管理器
LT4256-1
LT4256-2
:正高电压热插拔控制器
AD8108:325 MHz、8 × 8缓冲式视频交叉点开关(G = 1)
LTC4065-4.4:2mm x 2mm DFN 封装的独立 750mA 锂离子电池充电器
OP279:轨到轨、高输出电流运算放大器
AD9958:内置双通道10 bit DAC的 500 MSPS直接数字频率合成器
ADR3433:微功耗、高精度3.3V基准电压源
ADBMS1818:具有菊花链接口的18单元电池监控器
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