HMC773LC3B是一款由Analog Devices（亚德诺半导体）设计生产的高性能、宽频段射频混频器芯片。该器件采用先进的GaAs（砷化镓）MMIC（单片微波集成电路）工艺制造，其核心架构集成了一个双平衡混频器单元，能够在极宽的射频与本地振荡器（LO）频率范围内实现优异的线性度和端口隔离度。这种架构有效抑制了偶次谐波，并显著降低了本振泄漏，为复杂的微波系统提供了稳定可靠的频率转换基础。

该混频器的工作频率覆盖6GHz至26GHz的微波频段，适用于上变频或下变频应用。其关键特性在于极宽的工作带宽与卓越的线性性能。在如此宽的频率范围内，它能保持一致的转换性能，这对于需要宽带操作或频率捷变的系统至关重要。芯片采用表面贴装型的12引脚VFCQFN封装（封装尺寸为3mm x 3mm），具有紧凑的占板面积和优异的热性能，非常适合高密度集成的微波模块设计。

在接口与电气参数方面，HMC773LC3B设计为无源混频器，因此无需外部直流偏置供电，简化了系统电源设计。其射频（RF）、本振（LO）和中频（IF）端口均内部匹配至50欧姆，最大程度地减少了外部匹配元件的需求，便于电路板布局与系统集成。虽然具体的转换增益和噪声系数参数未在基础描述中列出，但其双平衡混频器结构本身即提供了良好的噪声性能和互调失真特性。用户可通过ADI中国代理获取完整的数据手册以进行详细的链路预算计算。

得益于其宽频带和高性能，该芯片主要面向对频率和线性度有严苛要求的专业应用场景。它是点对点及点对多点微波无线电、军用电子战（EW）与雷达系统、卫星通信上行/下行链路以及测试与测量设备中频率转换单元的优选解决方案。尽管其零件状态标注为“停产”，但在许多现有系统维护、备件供应或特定项目设计中，它仍然是一个经过验证的高可靠性选择，工程师在选型时需结合供应链情况综合考虑。

• 型号:HMC773LC3B
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:12-CSMT（3x3）
• 类目:射频和无线 > 射频混频器
• 描述:IC MIXER 6-26GHZ DUAL 12-QFN
• 系列:-
• 包装:带
• 产品状态:停产
• 射频类型:通用
• 频率:6GHz ~ 26GHz
• 混频器数:1
• 增益:-
• 噪声系数:-
• 辅助属性:升/降频器
• 电流 - 供电:-
• 电压 - 供电:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:12-VFCQFN 焊盘
• 供应商器件封装:12-CSMT（3x3）
• HMC773LC3B优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC773LC3B是ADI公司推出的一款宽频段、高性能MMIC双平衡混频器。该器件采用GaAs工艺，工作频率覆盖6GHz至26GHz的微波范围，支持上变频和下降频应用，无需直流偏置即可工作。

其核心优势在于极宽的工作带宽内能提供卓越的线性度和端口隔离性能。芯片采用紧凑的3mm x 3mm、12引脚VFCQFN表面贴装封装，各端口内部匹配至50欧姆，简化了射频前端设计。这些特性使其非常适用于宽带微波无线电、雷达、卫星通信及测试设备等要求严苛的领域。