
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频和无线 > 射频放大器,封装:24-QFN(4x4)
- 技术参数:IC RF AMP 0HZ-5GHZ 24QFN
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HMC760LC4BTR-R5是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的宽带射频放大器,采用先进的GaAs(砷化镓)pHEMT工艺制造,其核心架构旨在实现从直流到5GHz频率范围内的卓越信号放大性能。该芯片内部集成了高性能的放大单元和优化的偏置电路,能够在极宽的频带内提供平坦的增益响应和出色的线性度,其设计特别注重在低工作电压下的稳定性和效率,为系统前端提供了可靠且高性能的信号调理解决方案。
该器件的一个突出功能特点是其超宽的工作带宽,覆盖0Hz至5GHz,这使得它能够兼容从基带、中频到多种射频应用场景的信号处理需求。其工作电压范围设计为1.9V至2.1V,典型供电电流为72mA,体现了低功耗和高效率的设计理念,非常适合由电池供电或对功耗敏感的便携式与分布式设备。芯片采用紧凑的24引脚TFQFN表面贴装封装,具有良好的热性能和易于集成的特点,能够有效节省PCB空间,简化系统布局。
在接口与关键参数方面,HMC760LC4BTR-R5作为一款宽带放大器,其性能参数在指定频带内经过优化,确保了信号的完整性。其表面贴装型封装符合现代自动化生产要求,便于大规模部署。对于需要稳定供应和技术支持的客户,可以通过授权的ADI代理获取该器件以及相关的设计资源。该芯片的典型应用场景非常广泛,包括但不限于测试与测量设备(如信号发生器和频谱分析仪的前端)、宽带通信系统(涵盖蜂窝基础设施、点到点无线电)、军事与航空航天电子(如电子战和雷达系统)以及卫星通信等领域的信号链路径。其宽频带特性使其成为需要处理多频段或多标准信号的系统的理想选择,为工程师提供了设计灵活性和性能保障。
- 型号:HMC760LC4BTR-R5
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:24-QFN(4x4)
- 类目:射频和无线 > 射频放大器
- 描述:IC RF AMP 0HZ-5GHZ 24QFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 频率:0Hz ~ 5GHz
- P1dB:-
- 增益:-
- 噪声系数:-
- 射频类型:-
- 电压 - 供电:1.9V ~ 2.1V
- 电流 - 供电:72mA
- 测试频率:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:24-TFQFN 焊盘
- 供应商器件封装:24-QFN(4x4)
- HMC760LC4BTR-R5优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
HMC760LC4BTR-R5是ADI公司推出的一款宽带射频放大器,属于RF-IF和RFID射频放大器类别。该器件设计用于覆盖从直流(0Hz)到5GHz的极宽频率范围,为各类射频系统提供基础信号放大功能。
其核心优势在于宽频带操作能力与低功耗特性的结合。该芯片在1.9V至2.1V的低电压下工作,典型电流消耗仅为72mA,非常适合对功耗有严格要求的应用。同时,其采用24引脚TFQFN表面贴装封装,具备有源状态,便于在现代电子系统中实现高密度集成和可靠部署。



















