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HMC738LP4E 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块,封装:24-QFN(4x4)
  • 技术参数:IC MMIC VCO HBT HALF FREQ 24-QFN
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HMC738LP4E 技术参数详情:

HMC738LP4E是Analog Devices Inc(ADI)推出的一款高性能单片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO),采用基于砷化镓异质结双极晶体管(GaAs HBT)的先进工艺制造。该器件采用紧凑的24引脚QFN封装(4mm x 4mm),其核心架构集成了振荡电路、缓冲放大器和多路分频器于单一芯片之上,实现了高集成度与优异的射频性能。这种高度集成的设计不仅简化了外部电路,还显著提升了系统的相位噪声性能和频率稳定性,使其成为高频微波系统的理想信号源。

该VCO的工作频率覆盖20.9 GHz至23.9 GHz的Ku波段,提供主射频输出。其关键特性在于集成了灵活的三路输出功能:除标准射频输出外,还内置了除以2和除以16的分频器,可分别提供频率约为10.45 GHz至11.95 GHz和1.306 GHz至1.494 GHz的辅助输出。这种多输出设计极大地增强了系统设计的灵活性,允许单一芯片为系统中的锁相环(PLL)、混频器或其它功能模块提供不同频率的本地振荡(LO)信号,从而减少元件数量、节省板级空间并降低系统复杂度。对于需要稳定、纯净微波信号源的设计,通过正规的ADI一级代理商获取原装芯片是保障项目成功的关键。

在接口与参数方面,HMC738LP4E通过一个模拟调谐电压端口(通常为0至+13 V)实现频率的连续线性控制,具备典型的调谐灵敏度。其输出功率典型值在0 dBm左右,确保了良好的驱动能力。芯片的相位噪声在特定频偏下表现优异,这对于通信链路的误码率和雷达系统的分辨率至关重要。其24-QFN封装带有裸露焊盘,提供了优异的热性能和接地特性,便于焊接和散热管理,适合自动化表面贴装(SMT)生产流程。

得益于其宽频带、低相位噪声和多输出特性,HMC738LP4E非常适合应用于点对点及点对多点无线电、卫星通信、微波回程、测试与测量设备以及军用雷达系统等高要求的微波领域。它能够作为核心LO源,为上述应用中的上/下变频器、频率合成器提供高性能、高可靠性的本振信号,是工程师在开发下一代高频通信与传感系统时的有力选择。

  • 型号:HMC738LP4E
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:24-QFN(4x4)
  • 类目:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块
  • 描述:IC MMIC VCO HBT HALF FREQ 24-QFN
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:在售
  • 功能:VCO
  • 频率:20.9GHz ~ 23.9GHz
  • 射频类型:通用
  • 辅助属性:三输出(除以 2,除以 16,标准)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:24-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:24-QFN(4x4)
  • HMC738LP4E优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC738LP4E是一款由Analog Devices Inc制造的MMIC VCO芯片,采用24-QFN(4x4)紧凑封装。其核心功能是在20.9 GHz至23.9 GHz的Ku波段内生成稳定可调的射频信号,并集成除以2和除以16的分频器,提供三路独立的频率输出。

该器件基于GaAs HBT工艺,实现了优异的相位噪声性能和输出功率。多输出架构显著简化了系统设计,允许单一芯片满足多个功能模块的本振需求,适用于对集成度、性能和尺寸有严苛要求的微波射频系统。

AD5556:电流输出、并行输入、14位数模转换器
AD8158:6.5 Gbps、四通道、缓冲式多路复用器/解复用器
LTC4441:N 沟道 MOSFET 栅极驱动器
AD7262:1 MSPS、12位、同步采样SAR ADC,内置可编程增益放大器(PGA)及4个比较器
ADL5530:DC至1000 MHz 中频增益模块
AD9283S:航空航天应用8位、100 MSPS模数转换器
AD9520-3:12路LVPECL/24路CMOS输出时钟发生器,集成2 GHz VCO
AD4020:20位、1.8 MSPS/1 MSPS/500 kSPS、轻松驱动、差分SAR ADC
HMC840:集成VCO 的小数N分频PLL,采用SMT封装,1.31 - 5.66 GHz
ADGS1414D:SPI, 1.5 Ω RON, ±15 V/±5 V/+12 V, 高密度八路单刀单掷开关
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