- 制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：射频和无线 > 射频放大器，封装:16-QFN（3x3）
- 技术参数：IC RF AMP GPS 4.8GHZ-6GHZ 16QFN
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HMC717LP3E是一款由Analog Devices（ADI）设计生产的通用型射频放大器芯片，采用先进的GaAs（砷化镓）pHEMT工艺制造，确保了在C波段（4.8GHz至6GHz）内卓越的高频性能与稳定性。该器件集成了优化的匹配网络，其核心架构旨在实现从输入到输出的高效信号传输路径，最大限度地减少了外部元件的需求，简化了电路板设计并提升了系统的可靠性。
在功能表现上，该放大器在5GHz典型工作频率下能提供高达16.5dB的线性增益，同时保持极低的噪声系数，典型值仅为1.1dB。这一特性使其在放大微弱信号时能有效维持系统的信噪比，对于接收机前端的灵敏度至关重要。其输出1dB压缩点（P1dB）达到18.5dBm，提供了良好的线性输出功率能力，能够处理一定强度的输入信号而不产生显著失真。器件工作在3V至5V的单电源电压下，典型静态电流为73mA，在提供高性能的同时兼顾了功耗的合理性。
该芯片采用紧凑的16引脚QFN（3mm x 3mm）表面贴装封装，非常适合高密度PCB布局。其接口设计简洁，主要射频端口在内部已完成匹配至50欧姆，用户仅需配置简单的直流偏置和电源去耦电路即可工作。宽泛的工作电压范围为其在不同供电系统的集成提供了灵活性。虽然该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能指标，使其在特定存量系统或非前沿应用中仍具参考价值。对于需要获取此类经典器件的用户，可以咨询专业的ADI中国代理以获取库存、替代方案或技术支持。
基于其工作频段和优异的噪声与线性度平衡，HMC717LP3E非常适用于点对点无线电通信、卫星通信终端、微波无线电链路以及测试测量设备中的中频或射频放大级。它能够作为低噪声放大器（LNA）用于接收链路前端，或作为驱动放大器用于发射链路，有效提升系统在C波段范围内的整体链路预算和动态范围。
- 型号:HMC717LP3E
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:16-QFN（3x3）
- 类目:射频和无线 > 射频放大器
- 描述:IC RF AMP GPS 4.8GHZ-6GHZ 16QFN
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 频率:4.8GHz ~ 6GHz
- P1dB:18.5dBm
- 增益:16.5dB
- 噪声系数:1.1dB
- 射频类型:通用
- 电压 - 供电:3V ~ 5V
- 电流 - 供电:73mA
- 测试频率:4.8GHz ~ 6GHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘
- 供应商器件封装:16-QFN（3x3）
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HMC717LP3E是ADI推出的一款覆盖4.8GHz至6GHz频段的通用射频放大器。该器件在提供16.5dB高增益的同时，实现了低至1.1dB的优异噪声系数，并具备18.5dBm的输出1dB压缩点，在信号放大过程中能很好地兼顾系统灵敏度与线性度。
其采用3V至5V单电源供电，典型工作电流为73mA，功耗控制合理。芯片采用3mm x 3mm QFN-16表面贴装封装，集成度高，便于在紧凑的射频模块中部署，适用于各类C波段无线通信与测试系统。
