- 制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：射频和无线 > 射频放大器，封装:16-QFN（3x3）
- 技术参数：IC RF AMP LTE 4.8GHZ-6GHZ 16QFN
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HMC717ALP3ETR是一款由Analog Devices（ADI）设计生产的高性能、宽带低噪声放大器（LNA），采用先进的GaAs pHEMT工艺制造。该芯片的核心架构旨在为4.8GHz至6GHz频段内的射频信号提供卓越的线性度和极低的噪声系数，其内部集成了优化的匹配网络和偏置电路，确保了在宽频带范围内稳定、高效的性能表现，同时简化了外部电路设计。
该器件在指定的整个工作频段内，能够提供高达16.5dB的稳定增益，同时保持仅为1.25dB的出色噪声系数，这对于接收链路前端灵敏度至关重要。其输出1dB压缩点（P1dB）达到18.5dBm，展现了良好的线性度，能够处理较强的输入信号而不产生显著失真。供电方面，HMC717ALP3ETR支持3V至5V的单电源供电，典型工作电流为73mA，功耗与性能达到了优秀的平衡，适合对能效有要求的便携式或基站设备。
接口与物理参数方面，该放大器采用表面贴装型的16引脚QFN封装，便于高密度PCB板布局和散热管理。其设计兼容LTE和WiMax等通信标准，测试频率覆盖完整的4.8GHz~6GHz范围，确保了参数指标的可靠性。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，通过正规的ADI授权代理进行采购是保障产品正品与长期可获得性的关键。
在应用场景上，HMC717ALP3ETR是5GHz频段无线基础设施、点对点无线电、卫星通信以及测试测量设备的理想选择。其高增益和低噪声特性使其非常适合用作接收机的前置放大器，以最大化系统动态范围；同时，良好的线性度也支持其在发射链路的驱动级应用中发挥作用。这款放大器为设计工程师在C波段附近实现高性能、紧凑型的射频解决方案提供了有力的核心器件支持。
- 型号:HMC717ALP3ETR
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:16-QFN（3x3）
- 类目:射频和无线 > 射频放大器
- 描述:IC RF AMP LTE 4.8GHZ-6GHZ 16QFN
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 频率:4.8GHz ~ 6GHz
- P1dB:18.5dBm
- 增益:16.5dB
- 噪声系数:1.25dB
- 射频类型:LTE，WiMax
- 电压 - 供电:3V ~ 5V
- 电流 - 供电:73mA
- 测试频率:4.8GHz ~ 6GHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘
- 供应商器件封装:16-QFN（3x3）
- HMC717ALP3ETR优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。
HMC717ALP3ETR是ADI推出的一款覆盖4.8GHz至6GHz频段的宽带低噪声放大器。该器件在提供高达16.5dB增益的同时，实现了仅1.25dB的极低噪声系数，显著提升了接收链路的信号灵敏度。
其输出1dB压缩点为18.5dBm，确保了良好的线性性能。该芯片采用3V至5V单电源供电，工作电流73mA，并集成于紧凑的16引脚QFN封装中，专为LTE、WiMax等C波段无线通信基础设施和测试设备而优化，是一款兼顾高性能与高集成度的射频前端解决方案。
