- 制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：射频和无线 > 射频放大器，封装:16-QFN（3x3）
- 技术参数：IC RF AMP LTE 4.8GHZ-6GHZ 16QFN
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HMC717ALP3E是亚德诺半导体（Analog Devices）推出的一款高性能、低噪声射频放大器，采用先进的GaAs pHEMT工艺制造，专为4.8GHz至6GHz频段内的微波应用而优化。其核心架构旨在实现高线性度与低噪声的卓越平衡，内部集成了匹配网络，简化了外部电路设计，确保了在宽频带内稳定可靠的性能表现。该器件采用紧凑的16引脚QFN封装，非常适合对空间有严格要求的表面贴装应用。
该放大器在指定的整个工作频段内，能够提供典型值为14.5dB的稳定增益，同时保持极低的噪声系数，典型值仅为1.1dB，这对于接收链路前端提升系统灵敏度至关重要。其输出1dB压缩点（P1dB）达到18dBm，具备良好的线性度，能够处理较高的输入信号功率而不产生显著失真。器件在单3V电压下工作，典型供电电流为68mA，功耗控制出色，有助于实现高效的射频系统设计。用户可通过ADI授权代理获取完整的技术支持、样片以及批量采购服务。
在接口与参数方面，HMC717ALP3E设计为50欧姆输入输出阻抗，便于与标准射频组件直接连接。其工作温度范围覆盖工业级标准，确保了在各种环境下的可靠性。除了卓越的增益、噪声和线性度指标，该芯片的封装热性能也经过优化，有助于维持长期工作的稳定性。
该芯片主要面向需要高性能射频前端的现代无线通信基础设施，其优化的性能参数使其非常适用于LTE基站、微波点对点回传链路、卫星通信终端以及测试测量设备等领域。在5GHz频段附近的WiMAX或其它宽带无线接入系统中，它也能作为驱动放大器或低噪声放大器，有效提升链路预算和信号质量。
- 型号:HMC717ALP3E
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:16-QFN（3x3）
- 类目:射频和无线 > 射频放大器
- 描述:IC RF AMP LTE 4.8GHZ-6GHZ 16QFN
- 系列:-
- 包装:带
- 产品状态:在售
- 频率:4.8GHz ~ 6GHz
- P1dB:18dBm
- 增益:14.5dB
- 噪声系数:1.1dB
- 射频类型:LTE，WiMax
- 电压 - 供电:3V
- 电流 - 供电:68mA
- 测试频率:4.8GHz ~ 6GHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘
- 供应商器件封装:16-QFN（3x3）
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HMC717ALP3E是一款覆盖4.8GHz至6GHz频段的射频放大器，采用表面贴装型16-VFQFN封装。其核心优势在于在宽频带内实现了高增益、高线性度与超低噪声的出色结合，典型增益为14.5dB，噪声系数低至1.1dB，输出1dB压缩点达18dBm。
该器件专为LTE、WiMAX等现代无线通信标准优化，单3V供电且功耗仅约204mW，设计高效。其集成化的内部匹配简化了应用电路，是微波点对点通信、卫星终端和测试设备中提升接收灵敏度或驱动能力的理想选择。
