
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频放大器,封装:6-VFDFN
- 技术参数:IC RF AMP GP 2.3GHZ-2.7GHZ 6DFN
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HMC667LP2ETR是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的通用型射频放大器芯片,采用先进的GaAs pHEMT工艺制造,封装于紧凑的6引脚DFN表面贴装封装内。该芯片专为2.3GHz至2.7GHz频段的无线通信系统优化设计,其核心架构集成了高性能的放大单元与内部匹配网络,确保了在宽频带范围内稳定、高效的信号放大能力,同时最大限度地减少了外部元件需求,简化了电路板布局与系统设计。
该器件在指定的2.3GHz至2.7GHz工作频段内,能够提供高达19dB的线性增益,同时保持极低的噪声系数,典型值仅为0.9dB。这一特性使其在接收链路前端能够有效放大微弱信号,而不会显著劣化系统的整体信噪比。其输出1dB压缩点(P1dB)为16.5dBm,提供了良好的线性输出功率能力,适用于对信号保真度有要求的应用场景。供电方面,芯片支持3V至5V的单电源电压,在典型工作条件下静态电流约为59mA,实现了性能与功耗的良好平衡。
在接口与参数方面,HMC667LP2ETR设计为完全内部匹配至50欧姆,其射频输入和输出端口均只需简单的直流阻断电容即可工作,极大地方便了系统集成。其表面贴装型(SMT)的6-VFDFN封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积,非常适合高密度PCB设计。虽然该产品目前已处于停产状态,但在库存或通过可靠的ADI代理商渠道,它仍然是相关存量或特定设计项目的关键备选器件。
基于其优异的增益、噪声和线性度性能组合,这款放大器非常适合应用于2.4GHz ISM频段(如Wi-Fi、蓝牙)、无线局域网(WLAN)、固定无线接入以及各类点对点或点对多点射频通信系统的接收机前端放大或驱动级放大。它能够有效提升接收灵敏度或作为发射链路的中间级驱动器,是构建高性能射频收发模块的核心元件之一。
- 制造商产品型号:HMC667LP2ETR
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC RF AMP GP 2.3GHZ-2.7GHZ 6DFN
- 类别:RF-IF 和 RFID 射频放大器
- 零件状态:停产
- 频率:2.3GHz ~ 2.7GHz
- P1dB:16.5dBm
- 增益:19dB
- 噪声系数:0.9dB
- 射频类型:通用
- 电压-供电:3V ~ 5V
- 电流-供电:59mA
- 测试频率:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:6-VFDFN
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HMC667LP2ETR是一款覆盖2.3GHz至2.7GHz频段的通用射频放大器,采用6-VFDFN表面贴装封装。其核心优势在于在提供高达19dB增益的同时,实现了仅0.9dB的极低噪声系数,并具备16.5dBm的输出1dB压缩点,为射频前端设计提供了优异的线性度与灵敏度提升能力。
该器件采用3V至5V单电源供电,工作电流为59mA,内部已匹配至50欧姆,极大简化了外围电路设计。这些特性使其成为无线基础设施、WLAN以及各类2.4GHz ISM频段通信设备中接收链路低噪声放大或发射链路驱动级的理想选择。



















