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HMC656 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 衰减器,封装:
  • 技术参数:RF ATTENUATOR 10DB 50OHM DIE
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HMC656 技术参数详情:

作为一款工作在毫米波频段的宽带衰减器,HMC656采用了基于GaAs(砷化镓)工艺的MMIC(单片微波集成电路)设计。其核心架构集成了高性能的PIN二极管或FET开关单元,通过精密的薄膜电阻网络实现精确的衰减量控制。这种一体化的裸片(Die)形式,消除了传统封装带来的寄生参数影响,使其能够在DC至50GHz的极宽频率范围内保持优异的性能一致性,尤其适合对信号完整性要求极高的微波与毫米波系统集成。

该器件提供了10dB的固定衰减值,在整个工作频带内具有出色的平坦度与精度。其50欧姆的标称阻抗设计,确保了与标准微波传输线(如微带线、共面波导)的良好匹配,最大限度地减少了信号反射。作为一款无源衰减器,它具备高功率处理能力卓越的线性度,不会引入额外的谐波或互调失真,这对于维持系统动态范围至关重要。用户可以通过专业的ADI代理获取详细的应用支持和裸片装配指南。

在接口与参数方面,HMC656以裸片形式提供,需要用户进行芯片贴装(Die Attach)和引线键合(Wire Bonding)以实现电路互联。这种形式赋予了设计者最大的灵活性,可以直接将其集成到混合微波集成电路(HMIC)或多芯片模块(MCM)中,优化系统尺寸和射频性能。其关键参数包括从直流(0Hz)延伸至50GHz的超宽工作频率,以及稳定的50欧姆输入/输出阻抗,确保了在复杂微波链路中的可预测性和可重复性。

凭借其宽带、高性能和紧凑的裸片形态,该器件广泛应用于测试与测量设备(如矢量网络分析仪的信号路径校准)、点对点无线通信回程线路、卫星通信系统以及军用电子战(EW)和雷达系统。在这些场景中,它主要用于信号电平调节、改善系统匹配、隔离级间影响以及作为功率保护元件,是构建高可靠性微波前端不可或缺的基础元件之一。

  • 型号:HMC656
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:
  • 类目:射频和无线 > 衰减器
  • 描述:RF ATTENUATOR 10DB 50OHM DIE
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 衰减值:10dB
  • 频率范围:0 Hz ~ 50 GHz
  • 功率 (W):-
  • 阻抗:50 Ohms
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:模具
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HMC656是亚德诺半导体(ADI)推出的一款高性能固定值射频衰减器裸片。该器件提供精确的10dB衰减,其核心优势在于覆盖了从直流(DC)到50GHz的极端带宽,能够满足毫米波频段应用对宽带性能的苛刻需求。

作为一款50欧姆阻抗的MMIC器件,它在整个频带内具备优异的阻抗匹配特性和衰减平坦度,能有效最小化信号反射与失真。以裸片形式交付,为系统集成提供了高度的设计灵活性,非常适合直接嵌入到混合微波集成电路或多芯片模块中,以实现紧凑、高性能的微波系统设计。

LTC2161:16 位、40Msps、低功率 ADC
AD7792:3通道、低噪声、低功耗、16位Σ-Δ型ADC,内置片内仪表放大器和基准电压源
ADXL343:3轴、±2 G/±4 G/±8 G/±16 G数字加速度计
HMC701:集成扫频器的8 GHz 16位小数N分频PLL
LTP5900-WHM:SmartMesh IP 节点模块 (PCBA)
HMC500:HBT矢量调制器,采用SMT封装,1.8 - 2.2 GHz
AD5647R:双通道、14位NANODAC,内置5 ppm/°C片内基准电压源和I2C接口
AD7450:差分输入、1 MSPS、12位SAR ADC
HMC572LC5:I/Q接收机,采用SMT封装,24 - 28 GHz
HMC434:使用InGaP HBT技术,8分频,采用SMT封装,DC - 8 GHz
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