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- 制造厂商：AD
- 类别封装：射频放大器，封装：32-VFQFN
- 技术参数：IC RF AMP LTE 0HZ-1GHZ 32QFN
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HMC626ALP5E 技术参数详情：
您是否希望为您的LTE或WiMax设备注入一颗强劲而纯净的“射频心脏”？HMC626ALP5E正是这样一款能显著提升系统性能的射频放大器。它能在0Hz到1GHz的宽广频率范围内，为您提供高达35dB的信号放大能力，同时将噪声系数牢牢控制在2.8dB的低水平，确保信号放大过程清晰高效。
这颗芯片能让您的设计事半功倍。它仅需单一的5V电源供电，即可输出高达20dBm的功率，具备出色的线性度，有效保障复杂调制信号的传输质量。其紧凑的32引脚QFN表面贴装封装，让您能够轻松实现高密度板级集成，是构建高性能无线通信前端、测试仪器及中继设备的理想选择。
- 制造商产品型号：HMC626ALP5E
- 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 描述：IC RF AMP LTE 0HZ-1GHZ 32QFN
- 类别：RF-IF 和 RFID 射频放大器
- 零件状态：停产
- 频率：0Hz ~ 1GHz
- P1dB：20dBm
- 增益：35dB
- 噪声系数：2.8dB
- 射频类型：LTE，WiMax
- 电压-供电：5V
- 电流-供电：178.4mA
- 测试频率：500MHz ~ 1GHz
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：32-VFQFN
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ADUM3150：用于SPI高速接口的3.75 kV专用隔离器（1/1辅助通道方向性）
LT1208：双通道 45MHz、400V/μs 运算放大器
AD7893：真双极性输入、单电源、12位、串行6 s ADC，采用8引脚封装
HMC-ALH369：低噪声放大器芯片，24 - 40 GHz
LT3062：45V VIN、微功率、低噪声、200mA LDO
LTC6431-20：20dB 增益部件，50Ω IF 放大器
LTC2184：16 位、105Msps、低功率、双通道 ADC
ADG1433：4 导通电阻、±15 V/+12 V/±5 V、iCMOS、三通道单刀双掷开关
HMC451LC3：中等功率放大器，采用SMT封装，5 - 20 GHz
AD5821A：120 mA、吸电流、10位 I2C DAC
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