
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:24-QFN(4x4)
- 技术参数:IC RFIC DOWNCONVERTER 24-QFN
- (丰富的AD公司产品,AD芯片采购平台)
- (提供当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格)

HMC621LP4ETR是亚德诺半导体(ADI)推出的一款高性能单片微波集成电路(MMIC)下变频器,采用先进的GaAs pHEMT工艺制造,专为要求苛刻的无线基础设施和点对点通信应用而设计。该器件集成了一个高线性度混频器、一个低噪声放大器(LNA)和一个本振(LO)缓冲放大器,构成了一个完整的接收前端解决方案。其核心架构旨在简化系统设计,通过高度集成的方案减少了外部元件数量,从而提升了系统的可靠性与一致性,同时优化了板级空间布局。
该芯片在900MHz至1.6GHz的宽频带范围内工作,覆盖了LTE和WiMax等主流无线通信频段。高达27dB的转换增益是其显著特点,这极大地降低了对后续中频(IF)放大链路增益的要求,简化了接收机设计。同时,其噪声系数仅为4.5dB,确保了接收链路具有出色的灵敏度,能够有效处理微弱信号。其内部集成的LO缓冲放大器提供了良好的端口隔离度,并降低了对外部LO驱动功率的要求,增强了系统的稳定性和易用性。
在接口与电气参数方面,HMC621LP4ETR采用单电源+5V供电,典型工作电流为250mA,功耗控制在一个合理的水平。它采用紧凑的24引脚、4mm x 4mm QFN(LP4)表面贴装封装,非常适合高密度PCB布局。其射频(RF)和本振(LO)端口内部匹配至50欧姆,中频(IF)端口则内部直流阻断,这些设计都进一步简化了外部匹配电路。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过ADI授权代理获取该产品的技术支持和库存信息。
鉴于其优异的性能组合,该器件主要面向对线性度、增益和噪声性能有严格要求的应用场景。它是蜂窝基站(特别是LTE微基站和微微基站)、微波点对点无线电、卫星通信终端以及测试测量设备中接收机前端的理想选择。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有系统设计和备件供应中,它仍然是一个经过验证的高性能解决方案,工程师在为其产品选择替代或升级方案时,仍需参考其作为性能基准。
- 型号:HMC621LP4ETR
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:24-QFN(4x4)
- 类目:射频和无线 > 射频混频器
- 描述:IC RFIC DOWNCONVERTER 24-QFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 射频类型:LTE,WiMax
- 频率:900MHz ~ 1.6GHz
- 混频器数:1
- 增益:27dB
- 噪声系数:4.5dB
- 辅助属性:降频变频器
- 电流 - 供电:250mA
- 电压 - 供电:5V
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:24-VFQFN 焊盘
- 供应商器件封装:24-QFN(4x4)
- HMC621LP4ETR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
HMC621LP4ETR是ADI公司生产的一款单片集成下变频器,属于射频混频器系列。该器件工作频率范围为900MHz至1.6GHz,专为LTE和WiMax等无线通信标准优化,采用24-QFN表面贴装封装,以卷带形式供货。
其核心性能优势在于高集成度与优异的射频指标。该芯片集成了混频器、LNA和LO缓冲器,提供高达27dB的转换增益,显著简化了接收链路设计。同时,4.5dB的低噪声系数确保了接收机前端具备出色的灵敏度,而单+5V电源供电方案则便于系统集成。



















