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HMC584LP5TR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块,封装:32-QFN(5x5)
  • 技术参数:IC MMIC VCO HBT BIPOLAR 32QFN
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HMC584LP5TR 技术参数详情:

HMC584LP5TR是一款由Analog Devices(ADI)设计制造的高性能单片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO)。该器件基于先进的异质结双极晶体管(HBT)Bipolar工艺构建,这一核心架构确保了其在微波频段下具备出色的相位噪声性能和频率稳定性。芯片集成于紧凑的32引脚QFN封装内,其内部集成了谐振电路、变容二极管以及增益缓冲放大器,构成了一个完整的振荡与输出单元,有效简化了外围电路设计并提升了系统的可靠性。

该VCO的工作频率覆盖12.5GHz至13.9GHz的Ku波段,提供了高达1.4GHz的宽调谐范围,能够满足信道选择或频率捷变系统的需求。其4分型(Quadrature)输出特性是一个关键优势,能够直接提供相位精确的I/Q(同相/正交)信号,这对于需要相干解调、镜像抑制或数字正交上/下变频的现代通信与雷达系统至关重要,省去了外部功分器和移相器,不仅节省了板级空间,也减少了因分立元件引入的相位误差和插损。作为一款表面贴装型器件,它采用卷带(TR)包装,非常适合高吞吐量的自动化贴装生产。

在接口与参数方面,HMC584LP5TR作为通用射频类型VCO,其控制电压与输出频率呈线性关系,便于通过数模转换器(DAC)进行精确的数字频率控制。器件需要单电源供电,并集成了输出缓冲,能够驱动后续的混频器或分频器,具有良好的负载隔离度。其相位噪声在中心频偏处的典型值处于行业领先水平,这对于提升通信系统的信噪比和雷达系统的目标分辨率具有重要意义。用户可以通过官方授权的ADI代理获取完整的数据手册、评估板以及详细的应用支持,以确保设计的一次成功。

得益于其高频、高性能及集成化特点,HMC584LP5TR非常适用于点对点无线通信、卫星通信终端、VSAT系统、测试与测量设备以及相位阵列雷达等高端应用场景。在这些系统中,它能够作为本振源,为上变频器或下变频器提供纯净且稳定的微波信号,是构建高性能射频前端不可或缺的核心元器件。

  • 型号:HMC584LP5TR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:32-QFN(5x5)
  • 类目:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块
  • 描述:IC MMIC VCO HBT BIPOLAR 32QFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 功能:VCO
  • 频率:12.5GHz ~ 13.9GHz
  • 射频类型:通用
  • 辅助属性:4 分型
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:32-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:32-QFN(5x5)
  • HMC584LP5TR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC584LP5TR是亚德诺半导体(ADI)推出的一款有源、表面贴装型MMIC压控振荡器。该器件采用32-VFQFN封装和卷带包装,工作于12.5GHz至13.9GHz的Ku波段,专为需要高频、稳定本振信号的应用而设计。

其核心卖点在于集成了4分型(Quadrature)输出功能,能够直接提供精确的I/Q信号,极大简化了相干通信和雷达系统中的射频架构。基于HBT Bipolar工艺,它在整个调谐范围内实现了优异的相位噪声性能和频率稳定性,属于ADI RF IC和模块系列中的高性能解决方案。

AD8692:双路、低成本、低噪声、CMOS轨到轨输出运算放大器
ADL5310:120 dB范围(3 nA - 3 mA)双通道对数转换器
LTC4054X-4.2:采用 ThinSOT 封装并具有热调节功能的独立线性锂离子电池充电器
AD7952:14位、1 MSPS、差分可编程输入PulSAR ADC
ADUM7641:1 kV RMS 六通道数字隔离器(5/1通道方向性)
ADP8861:电荷泵、7通道智能LED驱动器,采用I2C 接口
ADA4891-2:低成本CMOS、高速、轨到轨放大器
LTC4052-4.2:具过流保护功能的锂离子电池脉冲充电器
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