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HMC567LC5TR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > RF 解调器,封装:32-QFN(5x5)
  • 技术参数:RF DEMOD IC 7GHZ-9GHZ 32SMT
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HMC567LC5TR 技术参数详情:

HMC567LC5TR是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的高性能射频(RF)解调器芯片,采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造,封装于紧凑的32引脚TFQFN表面贴装型外壳中。该芯片的核心架构围绕一个集成化的下变频混频器与中频(IF)放大器链路构建,旨在将7GHz至9GHz的高频射频信号高效、稳定地转换为可供后续处理的中频信号。其内部集成了本振(LO)驱动电路与匹配网络,显著简化了外部电路设计,提升了系统的集成度与可靠性。

该器件在7GHz至9GHz的射频工作频段内表现出色,其本振(LO)输入频率范围覆盖3.5GHz至12.5GHz,提供了灵活的频率规划能力。噪声系数低至2.5dB,这对于维持整个接收链路的高信噪比至关重要,尤其在微弱信号接收场景下优势明显。同时,其输出1dB压缩点(P1dB)为-4dBm,确保了在一定的输入信号动态范围内能够保持优异的线性度,有效抑制互调失真。芯片采用单+5V电源供电,典型工作电流为160mA,功耗控制在一个合理的水平。

在接口与参数方面,HMC567LC5TR设计为表面贴装型,便于自动化生产。其射频(RF)、本振(LO)和中频(IF)端口均内部匹配至50欧姆,极大简化了与外部滤波器、放大器等元器件的连接设计,减少了外围元件数量。稳定的性能参数使其在宽温范围内都能可靠工作。对于需要获取此型号或进行技术咨询的用户,可以通过正规的ADI代理渠道进行询价与采购,以保障产品来源的可靠性与技术支持。

该芯片主要面向对性能有苛刻要求的微波无线电系统。其典型应用场景包括点对点及点对多点微波通信链路、卫星通信终端、军用电子战(EW)系统以及测试与测量设备中的高频接收前端。尽管其零件状态已标注为停产,但在一些现有系统维护、备件采购或特定遗留设计项目中,它仍然是一个经过验证的高性能解决方案。工程师在选用时需结合最新的产品生命周期信息进行评估。

  • 型号:HMC567LC5TR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:32-QFN(5x5)
  • 类目:射频和无线 > RF 解调器
  • 描述:RF DEMOD IC 7GHZ-9GHZ 32SMT
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 功能:-
  • LO 频率:3.5GHz ~ 12.5GHz
  • 射频频率:7GHz ~ 9GHz
  • P1dB:-4dBm
  • 增益:-
  • 噪声系数:2.5dB
  • 电流 - 供电:160 mA
  • 电压 - 供电:5V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:32-TFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:32-QFN(5x5)
  • HMC567LC5TR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC567LC5TR是亚德诺半导体(ADI)推出的一款射频解调器集成电路,采用32-TFQFN表面贴装封装。该芯片专为7GHz至9GHz的高频射频信号下变频解调而设计,其本振输入支持3.5GHz至12.5GHz的宽范围频率,为系统设计提供了高度的灵活性。

其核心性能优势在于极低的2.5dB噪声系数,能够显著提升接收机前端的灵敏度;同时,-4dBm的输出1dB压缩点保证了良好的线性动态范围。器件采用单+5V电源供电,工作电流典型值为160mA,集成度高,有助于简化外围电路设计,适用于要求严苛的微波通信与测试测量系统。

HMC1119:0.25dB LSB、7位硅数字衰减器,0.1 GHz至6.0 GHz
HMC985A-DIE:GaAs MMIC电压可变衰减器,20 - 50 GHz
LTC7541A:改进型标准 CMOS 12 位乘法 DAC
LTC1405:12 位、5Msps、采样 ADC
ADM3483:3.3 V、低功耗、RS-485/RS-422收发器(半双工、250 KBPS、限摆率、DE/RE)
LTC3870-1:用于数字电源系统管理的多相降压型从属控制器
ADUM7223:隔离式精密半桥驱动器,提供4 A输出
ADRF5047:9 kHz至44 GHz硅SP4T反射式开关
HMC-C015:DBL-BAL混频器模块,24 - 38 GHz
AD7247:双通道12位DACPORT,采用并行加载结构
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