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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:24-QFN(4x4)
  • 技术参数:IC MIXER DBL-BAL HI IP3 24SMD
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HMC552LP4 技术参数详情:

HMC552LP4是一款由亚德诺半导体(Analog Devices)设计生产的高性能、双平衡有源混频器,采用先进的GaAs pHEMT工艺制造。该器件采用紧凑的24引脚、4mm x 4mm QFN(LP4)表面贴装封装,专为1.6GHz至3GHz频段内要求苛刻的射频应用而优化。其核心架构集成了本地振荡器(LO)缓冲放大器、射频(RF)与中频(IF)匹配网络以及双平衡混频器核心,这种高度集成的设计有效简化了外部电路,同时确保了卓越的线性度和端口间隔离度。

该混频器的一个突出特点是其极高的输入三阶截点(IP3)性能,典型值可达+25 dBm,这使其在处理大信号时能显著抑制互调失真,维持信号完整性。在1.9GHz工作频率下,其转换损耗仅为7.5 dB,噪声系数为8 dB,在同类产品中表现优异。器件内部集成的LO缓冲放大器允许使用较低的LO驱动功率(典型值0 dBm),简化了系统本振链路的驱动要求。其工作电压为单+5V电源,典型工作电流为62mA,功耗控制得当,适合对能效有要求的便携或基站设备。

在接口与参数方面,HMC552LP4提供了完整的50欧姆匹配输入输出端口(RF、LO、IF),支持从DC至3.5GHz的宽IF带宽,使其既能作为上变频器也能作为下变频器使用,应用灵活。其出色的LO-to-RF隔离度(典型值45 dB)和LO-to-IF隔离度(典型值40 dB),有效减少了本振泄漏,降低了系统滤波的复杂度。工程师在选型与采购时,可以通过正规的ADI代理获取完整的数据手册、评估板以及技术支持,以确保设计成功。

鉴于其优异的线性度、适中的噪声系数和宽频带特性,该芯片非常适合应用于对动态范围和处理能力要求极高的场景。其主要目标市场包括WiMAX(全球微波互联接入)和WiBro(无线宽带接入)基站的基础设施、点对点及点对多点无线电链路、军用通信系统以及测试测量设备中的射频前端。在这些应用中,HMC552LP4能够可靠地完成频率转换任务,是构建高性能、高可靠性射频收发链路的理想选择。

  • 型号:HMC552LP4
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:24-QFN(4x4)
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MIXER DBL-BAL HI IP3 24SMD
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 射频类型:WiMAX / WiBro
  • 频率:1.6GHz ~ 3GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:8dB
  • 辅助属性:升/降频器
  • 电流 - 供电:62mA
  • 电压 - 供电:5V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:24-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:24-QFN(4x4)
  • HMC552LP4优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC552LP4是亚德诺半导体(ADI)推出的一款高性能有源双平衡混频器,采用表面贴装型24-VFQFN封装。该器件工作于1.6GHz至3GHz频段,专为WiMAX/WiBro等宽带无线基础设施应用设计,具备卓越的线性度与端口隔离性能。

其核心优势在于极高的输入三阶截点(IP3),能在大信号条件下有效抑制互调失真,同时保持8dB的噪声系数和较低的转换损耗。器件内部集成LO缓冲放大器,仅需0dBm驱动即可工作,简化了本振设计。采用单+5V电源供电,典型电流62mA,功耗控制合理,适合对性能与能效均有要求的射频系统。

LTC9101-1:48端口IEEE802.3bt (PoE 2)PSE数字控制器
LT5520:1.3GHz 至 2.3GHz 高线性度上变频混频器
AD5721R:集成2 PPM/C基准电压源的多范围、12位、单极性电压输出型DAC
LTC2311-14:具宽输入共模范围的 14 位带符号位、5Msps 差分输入 ADC
AD7701:16位Σ-Δ ADC
ADRF6603:1,100 MHz至3,200 MHz接收混频器,集成小数N分频PLL和VCO
AD7762:24位、625 KSPS、109 DB Σ-Δ型ADC,内置片内缓冲
ADM3488:3.3 V、低功耗、RS-485/RS-422收发器(全双工、250 KBPS、限摆率)
AD8400:单通道数字电位计
LT1224:非常高速运算放大器
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