HMC513LP5ETR是亚德诺半导体（Analog Devices）推出的一款高性能、双频段压控振荡器（VCO）芯片。该器件采用先进的GaAs HBT（异质结双极晶体管）工艺制造，其核心架构集成了谐振电路、负阻有源器件和变容二极管于一个高度集成的单片微波集成电路（MMIC）中。这种设计确保了在宽调谐电压范围内，能够通过单一控制电压精确、线性地控制输出频率，同时维持优异的频谱纯度和相位噪声性能。

该VCO的功能特点突出，其工作覆盖两个独立的频段：5.215 GHz至5.73 GHz以及10.43 GHz至11.46 GHz，中心频率分别为5.4725 GHz和10.945 GHz。这种双频段设计为系统提供了灵活的频率规划能力。其典型相位噪声低至-110 dBc/Hz @ 100 kHz偏移，这对于要求苛刻的通信和雷达系统至关重要，能有效降低系统误码率并提升信号质量。此外，芯片在输出功率方面表现稳定，在不同频段下分别提供-7±3 dBm、8±3 dBm和7.5±2.5 dBm的功率输出，二次谐波抑制典型值为15 dBc，有助于简化后级滤波电路设计。

在接口与电气参数方面，HMC513LP5ETR采用单电源+3V供电，最大工作电流为290mA。其频率调谐通过一个2V至13V的模拟电压（VDC）实现，调谐灵敏度（推移）典型值为25 MHz/V，提供了良好的线性控制特性。芯片采用紧凑的32引脚、5x5 mm QFN（四方扁平无引线）封装，具有良好的散热性能和易于PCB（印刷电路板）装配的特点。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C，确保在恶劣环境下也能可靠运行。用户可以通过正规的ADI代理获取详细的技术支持和采购信息。

基于其优异的射频性能，HMC513LP5ETR非常适合于点对点及点对多点无线电、卫星通信终端、军用电子战（EW）系统、测试与测量设备以及相位阵列雷达等高端应用场景。在这些系统中，它能够作为本振（LO）源，为频率合成器提供稳定、低噪声的基准信号，是构建高性能射频前端的核心元器件之一。

• 型号:HMC513LP5ETR
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:
• 类目:晶体，振荡器，谐振器 > VCO（压控振荡器）
• 描述:VCO 5.4725/10.945GHZ 2-13V 5X5MM
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 频率范围:5.215 ~ 5.73GHz，10.43 ~ 11.46GHz
• 频率 - 中心:5.4725GHz，10.945GHz
• 电压 - 供电:3V
• 调谐电压 (VDC):2 V ~ 13 V
• 二次谐波，典型值（dBc）:15
• 最大 Icc:290mA
• 推移（MHz/V）:25
• 功率 (dBm):-7±3，8±3，7.5±2.5
• 典型相位噪声 (dBc/Hz):-110
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 封装/外壳:32-VFQFN 焊盘
• 大小 / 尺寸:0.197 长 x 0.197 宽（5.00mm x 5.00mm）
• 高度:0.039\\
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HMC513LP5ETR是一款由Analog Devices设计的高性能双频段压控振荡器（VCO）。该器件核心优势在于其覆盖5.215-5.73 GHz和10.43-11.46 GHz两个独立频段，为中心频率分别为5.4725 GHz和10.945 GHz的应用提供了灵活的频率选择。

其关键性能参数包括出色的相位噪声特性（典型值-110 dBc/Hz @ 100 kHz偏移）以及稳定的输出功率，在不同频段下功率值分别为-7±3 dBm、8±3 dBm和7.5±2.5 dBm。芯片采用+3V单电源供电，通过2-13V的调谐电压进行频率控制，并集成于紧凑的5x5 mm QFN封装中，适用于对尺寸和射频性能有严苛要求的工业温度范围（-40°C至85°C）应用。