
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频和无线 > 射频放大器,封装:24-CLCC(3.9x3.9)
- 技术参数:IC RF AMP 14GHZ-27GHZ 24CLCC
- (丰富的AD公司产品,AD芯片采购平台)
- (提供当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格)

作为一款工作在毫米波频段的高性能射频放大器,HMC504LC4BTR-R5采用了先进的GaAs pHEMT工艺技术进行构建。这种核心架构确保了器件在14GHz至27GHz的极宽频率范围内,能够提供卓越的线性度、增益和噪声性能。其内部集成了多级放大电路,并经过精密的匹配设计,以实现从输入到输出的稳定信号放大,同时最大限度地减少信号反射和损耗,为系统前端提供了一个可靠且高效的信号增强解决方案。
该芯片的功能特点十分突出,其19dB的典型增益能够显著提升接收链路的灵敏度或发射链路的输出功率。在提供高增益的同时,噪声系数仅为4.5dB,这对于降低整个接收系统的噪声基底、改善信噪比至关重要。此外,其输出1dB压缩点(P1dB)达到17dBm,表明器件具有良好的线性输出能力,能够处理相对较高的输入功率而不产生显著的失真,这对于维持复杂调制信号的完整性非常有利。用户可以通过专业的ADI代理获取详细的设计支持和样品。
在接口与电气参数方面,HMC504LC4BTR-R5设计为单电源供电,典型工作电压为4V,静态电流消耗约为90mA,功耗控制得当。其采用紧凑的24引脚TFQFN表面贴装封装,尺寸小巧,非常适合高密度的PCB布局,便于集成到空间受限的现代无线设备中。所有射频输入输出端口均内部匹配至50欧姆,极大简化了外围电路设计,工程师只需关注必要的直流偏置和电源去耦网络即可。
凭借其覆盖Ku波段和部分Ka波段的宽频带特性以及优异的性能组合,该放大器非常适合应用于点对点无线通信、卫星通信终端、VSAT系统、微波无线电链路以及测试测量设备的前端模块。无论是作为低噪声放大器(LNA)用于提升接收机前端性能,还是作为驱动放大器用于发射通道的信号预放大,HMC504LC4BTR-R5都能提供稳定可靠的性能,是构建高性能毫米波射频系统的关键元件之一。
- 型号:HMC504LC4BTR-R5
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:24-CLCC(3.9x3.9)
- 类目:射频和无线 > 射频放大器
- 描述:IC RF AMP 14GHZ-27GHZ 24CLCC
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 频率:14GHz ~ 27GHz
- P1dB:17dBm
- 增益:19dB
- 噪声系数:4.5dB
- 射频类型:-
- 电压 - 供电:4V
- 电流 - 供电:90mA
- 测试频率:14GHz ~ 27GHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:24-TFCQFN 焊盘
- 供应商器件封装:24-CLCC(3.9x3.9)
- HMC504LC4BTR-R5优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
HMC504LC4BTR-R5是亚德诺半导体(ADI)推出的一款宽带射频放大器芯片,工作频率覆盖14GHz至27GHz。该器件基于GaAs pHEMT工艺,在宽频带内提供高达19dB的增益,同时保持4.5dB的低噪声系数,有效优化接收系统的灵敏度。
其线性度表现优异,输出1dB压缩点(P1dB)为17dBm,确保了对高动态范围信号的良好处理能力。芯片采用4V单电源供电,典型工作电流90mA,并集成于紧凑的24引脚TFQFN表面贴装封装中,所有射频端口内部匹配至50欧姆,便于系统集成与设计。



















