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HMC504LC4BTR-R5 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频放大器,封装:24-CLCC(3.9x3.9)
  • 技术参数:IC RF AMP 14GHZ-27GHZ 24CLCC
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HMC504LC4BTR-R5 技术参数详情:

作为一款工作在毫米波频段的高性能射频放大器,HMC504LC4BTR-R5采用了先进的GaAs pHEMT工艺技术进行构建。这种核心架构确保了器件在14GHz至27GHz的极宽频率范围内,能够提供卓越的线性度、增益和噪声性能。其内部集成了多级放大电路,并经过精密的匹配设计,以实现从输入到输出的稳定信号放大,同时最大限度地减少信号反射和损耗,为系统前端提供了一个可靠且高效的信号增强解决方案。

该芯片的功能特点十分突出,其19dB的典型增益能够显著提升接收链路的灵敏度或发射链路的输出功率。在提供高增益的同时,噪声系数仅为4.5dB,这对于降低整个接收系统的噪声基底、改善信噪比至关重要。此外,其输出1dB压缩点(P1dB)达到17dBm,表明器件具有良好的线性输出能力,能够处理相对较高的输入功率而不产生显著的失真,这对于维持复杂调制信号的完整性非常有利。用户可以通过专业的ADI代理获取详细的设计支持和样品。

在接口与电气参数方面,HMC504LC4BTR-R5设计为单电源供电,典型工作电压为4V,静态电流消耗约为90mA,功耗控制得当。其采用紧凑的24引脚TFQFN表面贴装封装,尺寸小巧,非常适合高密度的PCB布局,便于集成到空间受限的现代无线设备中。所有射频输入输出端口均内部匹配至50欧姆,极大简化了外围电路设计,工程师只需关注必要的直流偏置和电源去耦网络即可。

凭借其覆盖Ku波段和部分Ka波段的宽频带特性以及优异的性能组合,该放大器非常适合应用于点对点无线通信、卫星通信终端、VSAT系统、微波无线电链路以及测试测量设备的前端模块。无论是作为低噪声放大器(LNA)用于提升接收机前端性能,还是作为驱动放大器用于发射通道的信号预放大,HMC504LC4BTR-R5都能提供稳定可靠的性能,是构建高性能毫米波射频系统的关键元件之一。

  • 型号:HMC504LC4BTR-R5
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:24-CLCC(3.9x3.9)
  • 类目:射频和无线 > 射频放大器
  • 描述:IC RF AMP 14GHZ-27GHZ 24CLCC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 频率:14GHz ~ 27GHz
  • P1dB:17dBm
  • 增益:19dB
  • 噪声系数:4.5dB
  • 射频类型:-
  • 电压 - 供电:4V
  • 电流 - 供电:90mA
  • 测试频率:14GHz ~ 27GHz
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:24-TFCQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:24-CLCC(3.9x3.9)
  • HMC504LC4BTR-R5优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC504LC4BTR-R5是亚德诺半导体(ADI)推出的一款宽带射频放大器芯片,工作频率覆盖14GHz至27GHz。该器件基于GaAs pHEMT工艺,在宽频带内提供高达19dB的增益,同时保持4.5dB的低噪声系数,有效优化接收系统的灵敏度。

其线性度表现优异,输出1dB压缩点(P1dB)为17dBm,确保了对高动态范围信号的良好处理能力。芯片采用4V单电源供电,典型工作电流90mA,并集成于紧凑的24引脚TFQFN表面贴装封装中,所有射频端口内部匹配至50欧姆,便于系统集成与设计。

ADL5310:120 dB范围(3 nA - 3 mA)双通道对数转换器
AD5648:八通道、14位、SPI电压输出denseDAC,集成5 PPM/°C片内基准电压源
AD7740:3 V/5 V低功耗、同步电压频率转换器
HMC631:HBT矢量调制器,采用SMT封装,1.8 - 2.7 GHz
LTC4080X:采用 3mm x 3mm DFN 封装并具集成型 300mA 同步降压转换器的 500mA 独立型锂离子电池充电器
AD8552:零漂移、单电源RRIO双通道运算放大器
AD8203:高共模电压、单电源差动放大器
AD7843:触摸屏数字转换器
ADUM221N:可靠的5.0 kV rms 双通道数字隔离器、1 个反向通道和 7.8mm 爬电距离
LTC2142-14:14 位、65Msps、低功率、双通道 ADC
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