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HMC485AMS8GE 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:-
  • 技术参数:IC MMIC MIXER HI IP3 8-MSOP
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HMC485AMS8GE 技术参数详情:

HMC485AMS8GE是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能单片微波集成电路(MMIC)混频器,采用紧凑的8引脚MSOP封装。该器件专为1.7GHz至2.4GHz频段的高线性度射频应用而设计,其核心架构基于先进的GaAs(砷化镓)工艺,集成了一个双平衡混频器核心与片内匹配网络。这种设计不仅实现了优异的端口间隔离度,还显著简化了外部电路,使得该芯片在提供卓越射频性能的同时,能够极大地节省PCB空间并降低系统设计的复杂性。

该混频器在功能上表现出色,其最突出的特性在于极高的输入三阶截取点(IP3)性能。在典型工作条件下,其输入IP3可达到+24 dBm,这一指标对于处理高功率或存在强干扰信号的无线通信环境至关重要,能有效抑制互调失真,保障接收通道的灵敏度和信号保真度。同时,9.5 dB的噪声系数确保了在信号放大与变频过程中引入的额外噪声处于较低水平,有助于维持整个接收链路的信噪比。芯片采用单电源+5V供电,典型工作电流为45mA,功耗控制得当,适合对能效有要求的便携式或基站设备。

在接口与参数方面,HMC485AMS8GE集成了所有必要的端口匹配,射频(RF)、本振(LO)和中频(IF)端口均设计为50欧姆阻抗,便于与标准射频组件直接连接,减少了外部巴伦或匹配元件的需求。其工作频率范围覆盖了1.7GHz至2.4GHz,完美适配CDMA、GSM、WCDMA等主流蜂窝通信标准,以及Wi-Fi、蓝牙等ISM频段应用。稳定的性能表现使其能够在-40°C至+85°C的宽温度范围内可靠工作。

基于其高线性度、低噪声和集成化的优势,这款混频器非常适合应用于对动态范围要求苛刻的无线基础设施,如蜂窝基站收发器、中继器以及点对点微波通信链路。它也适用于测试测量设备中的上变频或下变频模块,以及各类军用和航空航天电子系统中的射频前端。对于需要稳定供货和技术支持的工程师,通过专业的ADI芯片代理渠道获取此产品,是保障项目顺利进行和获得原厂级技术资源的重要途径。

  • 型号:HMC485AMS8GE
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:-
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MMIC MIXER HI IP3 8-MSOP
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 射频类型:CDMA,GSM,WCDMA
  • 频率:1.7GHz ~ 2.4GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:9.5dB
  • 辅助属性:-
  • 电流 - 供电:45mA
  • 电压 - 供电:5V
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
  • HMC485AMS8GE优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC485AMS8GE是ADI公司生产的一款高性能MMIC混频器,采用8-MSOP封装,专为1.7GHz至2.4GHz频段的高要求射频应用优化。其核心卖点在于卓越的线性度,提供高达+24 dBm的输入IP3,能有效抑制强信号环境下的互调失真,同时保持9.5 dB的低噪声系数,确保接收链路的信号质量。

该器件采用单+5V电源供电,工作电流为45mA,集成了内部匹配网络,简化了外部电路设计。它支持CDMA、GSM、WCDMA等多种无线通信标准,适用于需要高动态范围和可靠性的基站、中继器及测试设备等应用场景。

LTC2757:具并行 I/O 的 18 位 SoftSpan IOUT DAC
AD7847:完整的LC2MOS、双通道12位MDAC,采用并行加载结构
LTM2894:隔离型 USB 数据收发器
LT1353:四通道、250μA、3MHz、200V/μs 运算放大器
LTC1706-85:用于 Intel VRM 8.5 的 VID 电压编程器
LTC1274:具 1μA 停机电流的 12 位、10mW、100ksps ADC
AD9743:双通道、10位、250 MSPS数模转换器
ADL8150:GaAs、HBT、MMIC、低相位噪声放大器,6 GHz至14 GHz
AD5551:5 V、串行输入、电压输出14位DAC
LTC3556:具双通道降压和降压-升压型 DC/DC 的高效率 USB 电源管理器
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