HMC443LP4E（报价、图片、封装、技术参数及文档）

产品参考图片

HMC443LP4E

制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
类别封装：射频和无线 > RF 其它 IC 和模块，封装:24-QFN（4x4）
技术参数：IC MULTIPLIER X4 ACTIVE 24SMD
（丰富的AD公司产品，AD芯片采购平台）
（提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格）

点击下图下载技术文档

HMC443LP4E 技术参数详情：

HMC443LP4E是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高性能有源倍频器芯片，采用先进的GaAs HBT工艺制造，封装于紧凑的24引脚、4mm x 4mm QFN（LP4）表面贴装型封装内。该器件设计用于在X频段内工作，其核心架构集成了一个高增益驱动放大器、一个高效的肖特基二极管倍频级以及一个输出缓冲放大器，这种集成化设计有效简化了外部电路需求，同时确保了优异的频谱纯度和转换效率。

该芯片的功能特点突出，其工作频率范围覆盖9.8 GHz至11.2 GHz，能够将输入频率精确地乘以四倍，实现×4的固定倍频系数。作为一款有源倍频器，它具备高转换增益，这意味着在典型应用下，输出信号功率可以高于输入信号功率，从而减少了对前级驱动放大器的依赖。此外，其设计优化了谐波抑制和相位噪声性能，使得输出信号具有很高的频谱纯度，这对于要求严苛的通信和雷达系统至关重要。

在接口与关键参数方面，HMC443LP4E采用标准的表面贴装技术（SMT），便于集成到现代微波模块和PCB上。其典型工作电压为+5V单电源供电，功耗控制得当。除了宽频带特性，该器件还表现出良好的输入/输出回波损耗，简化了阻抗匹配设计。用户可以通过正规的ADI授权代理获取完整的数据手册，以获取详细的绝对最大额定值、推荐工作条件、S参数以及在不同偏置和温度下的性能曲线。

基于其优异的射频性能，HMC443LP4E非常适用于需要高频率稳定性和纯净信号源的各类应用场景。它常见于点对点及点对多点无线电通信系统的本振（LO）链中，用于上变频链路的频率生成。在航空航天与国防领域，它是雷达系统、电子战（EW）设备和卫星通信终端中频率合成模块的理想选择。此外，在测试与测量设备中，该芯片也可用于构建高性能信号发生器的倍频模块。