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HMC408LP3TR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频放大器,封装:16-QFN(3x3)
  • 技术参数:IC AMP HIPERLAN 5.1-5.9GHZ 16QFN
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HMC408LP3TR 技术参数详情:

HMC408LP3TR是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能、高线性度的射频功率放大器芯片,采用先进的GaAs pHEMT工艺制造,专为5GHz频段的高数据速率无线通信系统而优化设计。该器件采用紧凑的3x3mm、16引脚QFN表面贴装封装,集成了片上偏置控制电路和温度补偿功能,确保了在宽温度范围内性能的稳定性和可重复性,简化了系统级设计。

该放大器的核心架构针对高输出功率和高效率进行了精心优化。其内部采用多级放大结构,在5.1GHz至5.9GHz的宽频带范围内,能够提供高达20dB的功率增益,并在5.8GHz的典型测试频率下,输出1dB压缩点(P1dB)达到30dBm,展现出卓越的线性输出能力。同时,其噪声系数被控制在6dB,在保证高功率输出的前提下,兼顾了接收链路的信号质量,这对于需要高动态范围的全双工或TDD系统尤为重要。其设计支持5V单电源供电,典型工作电流为750mA,功耗与性能达到了良好的平衡。

在功能层面,HMC408LP3TR完全兼容HiperLAN和UNII(无需许可证的国家信息基础设施)频段规范,使其成为构建符合IEEE 802.11a/n/ac/ax标准的5GHz WLAN接入点、客户端设备、无线回程以及宽带无线接入系统的理想射频前端解决方案。其高线性度特性能够有效支持高阶调制方案(如256-QAM、1024-QAM),从而提升系统的频谱效率和数据传输速率。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过授权的ADI一级代理商获取该产品,并获得原厂级别的设计资源与供货保障。

从接口与参数来看,该芯片的输入输出均内部匹配至50欧姆,极大简化了外围匹配电路设计,仅需少量的直流阻断电容和射频扼流电感即可工作。其表面贴装形式适合自动化大规模生产,有助于降低终端产品的制造成本。典型的应用场景包括企业级和运营商级无线局域网基础设施、点对点及点对多点无线桥接、5GHz频段的测试测量设备以及专网通信系统。其稳健的性能和集成化设计,为工程师在5GHz ISM频段开发高性能、高可靠性的射频链路提供了强有力的核心器件支持。

  • 型号:HMC408LP3TR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:16-QFN(3x3)
  • 类目:射频和无线 > 射频放大器
  • 描述:IC AMP HIPERLAN 5.1-5.9GHZ 16QFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 频率:5.1GHz ~ 5.9GHz
  • P1dB:30dBm
  • 增益:20dB
  • 噪声系数:6dB
  • 射频类型:HiperLAN,UNII
  • 电压 - 供电:5V
  • 电流 - 供电:750mA
  • 测试频率:5.8GHz
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:16-QFN(3x3)
  • HMC408LP3TR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC408LP3TR是ADI公司生产的一款表面贴装型射频功率放大器,隶属于RF-IF和RFID射频放大器类别。该有源器件工作于5.1GHz至5.9GHz频段,专为HiperLAN和UNII等5GHz无线标准优化,在5.8GHz测试频率下可提供30dBm的高输出功率(P1dB)和20dB的增益,确保了信号传输的强度和覆盖范围。

该芯片采用5V单电源供电,典型工作电流为750mA,在提供高功率输出的同时保持了合理的功耗水平。其6dB的噪声系数在高功率放大器中表现均衡,有助于维持系统整体的信噪比。凭借其高线性度、宽频带性能和紧凑的16-VFQFN封装,HMC408LP3TR成为构建高性能5GHz WLAN接入点、无线回程及宽带无线接入设备的理想射频前端解决方案。

ADAL6110-16:16-Channel, LIDAR Signal Processor
HMC463LH250:集成AGC的低噪声放大器,采用SMT封装,2 - 20 GHz
ADV7802:12-Bit、SDTV/HDTV 3D梳状滤波器、视频解码器和图形数字化器
AD8235:40 µ微功耗仪表放大器,采用WLCSP封装
AD5172:256位、一次可编程、双通道、I2C数字电位计
AD9826:完整的16位成像信号处理器
ADUCM322:精密模拟微控制器,带MDIO接口、ARM Cortex-M3的模拟I/O
HMC365S8G:InGaP HBT 4分频SMT封装,DC - 13 GHz
AD9833:低功耗、12.65 mW、2.3 V至+5.5 V可编程波形发生器
HMC245A:GaAs MMIC SP3T非反射式开关,DC - 3.5 GHz
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