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HMC402MS8ETR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:8-MSOP
  • 技术参数:IC MMIC MIXER HIGH IP3 8MSOP
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HMC402MS8ETR 技术参数详情:

HMC402MS8ETR是一款由亚德诺半导体(ADI)设计生产的高性能单片微波集成电路(MMIC)混频器。该器件采用先进的GaAs(砷化镓)工艺技术构建其核心架构,集成了射频(RF)、本振(LO)和中频(IF)端口所需的关键有源与无源元件,实现了在紧凑封装内的高度集成化。这种架构设计不仅确保了信号路径的优化,减少了寄生效应,还显著提升了在宽频带范围内的线性度与稳定性,为系统设计提供了可靠的射频前端解决方案。

该混频器专为高线性度应用而优化,其突出的功能特点在于能够处理高输入功率信号而保持极低的失真。在1.8GHz至2.2GHz的指定工作频段内,它表现出卓越的输入三阶交调截点(IP3)性能,这对于抑制邻近信道干扰、提升接收机动态范围至关重要。同时,其噪声系数典型值为8.5dB,在同类产品中具备良好的噪声性能,有助于维持整个接收链路的信噪比。器件设计为无源混频器,因此无需外部直流偏置,简化了电源设计并降低了系统功耗。

在接口与参数方面,HMC402MS8ETR采用标准的8引脚MSOP封装,支持表面贴装(SMT),便于高密度PCB布局。其射频类型为通用型,支持上变频和下变频操作,为设计提供了灵活性。尽管该器件已处于停产状态,但其成熟的设计和可靠的性能使其在特定存量应用和备件市场中仍具价值。对于需要此类高性能射频器件的工程师,通过专业的ADI芯片代理渠道,仍有可能获取库存或寻找合适的替代与升级方案咨询。

该芯片典型的应用场景集中在要求苛刻的无线通信基础设施领域,例如蜂窝基站(特别是工作在2GHz频段附近的PCS、UMTS设备)的接收机和发射机链路。其高IP3特性使其非常适合处理多载波、高功率信号的环境,能有效改善系统在强干扰下的性能。此外,它也可用于点对点无线电、微波中继链路以及测试测量设备中的频率转换模块,为系统提供稳定、线性的混频功能。

  • 型号:HMC402MS8ETR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-MSOP
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MMIC MIXER HIGH IP3 8MSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:通用
  • 频率:1.8GHz ~ 2.2GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:8.5dB
  • 辅助属性:升/降频器
  • 电流 - 供电:-
  • 电压 - 供电:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-MSOP
  • HMC402MS8ETR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC402MS8ETR是ADI公司推出的一款MMIC(单片微波集成电路)混频器,采用8-MSOP表面贴装封装。该器件工作于1.8GHz至2.2GHz的射频频率范围,专为需要高线性度与可靠性的通用射频应用而设计。

其核心优势在于卓越的线性性能,能够显著抑制交调失真,适用于高动态范围的接收环境。同时,8.5dB的噪声系数确保了良好的接收灵敏度。作为一款无源混频器,它支持上变频和下变频功能,且无需外部直流供电,简化了系统设计并降低了功耗。

AD7177-2:32位、10 kSPS Σ-Δ型ADC,具有100 μs建立时间,集成真轨到轨缓冲器
LTC4001:2A 同步降压型锂离子电池充电器
LTC2452:具 SPI 接口的超纤巧、差分、16 位 ΔΣ ADC
LTC2064:2µA 电源电流,低 IB, 零漂移运算放大器
ADSP-21488:高性能第四代 DSP
ADR425:超精密、低噪声、5.00 V XFET 基准电压源
ADG3257:高速、3.3 V/5 V、四通道2:1多路复用器/解复用器(4位、1/2)总线开关
ADRF5519:双通道,2.3 GHz至2.8 GHz,20 W接收器前端
LTC2052:四路零漂移运算放大器
AD4011:18 位、500 kSPS 精密、差分 SAR ADC
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