HMC369LP3E（报价、图片、封装、技术参数及文档）

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HMC369LP3E

制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
类别封装：射频和无线 > RF 其它 IC 和模块，封装:16-QFN（3x3）
技术参数：IC MULTIPLIER X2 ACTIVE 16-QFN
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HMC369LP3E 技术参数详情：

HMC369LP3E是一款由Analog Devices（ADI）设计生产的高性能有源倍频器芯片，采用先进的GaAs（砷化镓）pHEMT工艺制造。该器件在单芯片内集成了输入匹配网络、核心放大与倍频电路以及输出匹配网络，其架构专为在微波频段实现高效、稳定的频率倍增而优化。输入信号经过内部缓冲放大后，驱动一个非线性器件产生丰富的谐波分量，并通过精密的滤波网络精准提取所需的二次谐波，最终输出一个频率为输入信号两倍、且具有良好频谱纯度的信号。

该芯片的核心功能是将输入射频信号的频率精确地翻倍。其工作频率范围覆盖9.9 GHz至12.7 GHz的X波段，这意味着当输入信号在4.95 GHz至6.35 GHz范围内时，芯片能稳定输出目标频段的信号。转换增益典型值为0 dB，表明其在完成频率倍增的同时，能有效维持信号功率水平，减少了系统对额外放大级的需求。此外，其单边带相位噪声性能优异，在倍频过程中对源信号的相位噪声恶化极小，这对于要求严苛的通信和雷达系统至关重要。芯片采用表面贴装型的16引脚QFN封装，便于集成到紧凑的微波模块与系统中。

在接口与参数方面，HMC369LP3E设计为有源器件，需要单+5V直流供电。其输入和输出端口均为50欧姆匹配，简化了与前后级电路的连接设计。除了优异的增益和噪声性能，该器件还具备高输入IP3（三阶截取点），确保了在处理大信号或存在干扰时拥有良好的线性度，能有效抑制杂散分量。对于需要获取此器件或进行技术咨询的设计师，可以通过正规的ADI代理渠道以确保产品的正宗性和获得完整的技术支持。

凭借其卓越的微波性能，HMC369LP3E非常适用于点对点无线电通信、卫星通信上行链路、微波雷达系统以及测试测量设备中的本地振荡器（LO）链。在这些应用场景中，它能够作为频率合成链中的关键一环，将较低频率、高性能的VCO或PLL输出信号倍频至所需的微波频段，从而简化系统架构，提升整体方案的可靠性与性能。